刻划的富硅二氧化硅／p-Si结构的光致发光和电致发光.pdfVIP

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2015-09-23 发布于湖北
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刻划的富硅二氧化硅／p-Si结构的光致发光和电致发光.pdf

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刻划的富硅二氧化硅／p-Si结构的光致发光和电致发光.pdf

第卷第期半导体学报 Z Z 5 VO1. Z Z NO. 5 年月 Z 001 5 CHINESE J0 URNAL 0 F SEMIC0 N UCT0 RS May Z 001 ================================================================= 刻划的富硅二氧化硅/ - 结构的光致发光 p Si 和电致发光% 1 1 1 1 Z Z 孙永科崔晓明张伯蕊秦国刚马振昌宗婉华北京大学物理系北京 (1 100871D 信息产业部第十三研究所集成电路国家实验室石家庄 (Z GaAS 050051D 摘要以磁控溅射方法于 - 上淀积富硅二氧化硅形成富硅二氧化硅结构用金刚刀在其正面刻划出方形 : p Si / - p Si 网格后在气氛中退火其光致发光谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的谱有很大不同未刻 NZ (PL D PL . 划样品的谱只有一个峰位于而刻划样品的谱是双峰结构峰位分别位于 PL 840nm ( 1. 48BV D PL 630nm (1. 97 D 和840 . 800 退火的刻划富硅二氧化硅/ - 样品在背面蒸铝制成欧姆接触和正面蒸上半透明金电极 BV nm p Si 后在正向偏压下的电致发光强度约为同样制备的未经刻划样品在同样测试条件下的强度的倍 10V (EL D EL 6 . 谱形状也有明显不同表现在未经刻划样品的谱可以分解为两个高斯峰峰位分别位于和 EL : EL 1. 83BV 而在刻划样品谱中发光峰大幅度增强还产生了一个新的能量为的发光峰认为刻