UH31_UPS_框架原理及应用.pptVIP

晶闸管的结构和符号 单向晶闸管的外形 晶闸管的等效电路 晶闸管的工作原理 单向晶闸管的导通关断条件 双向晶闸管 双向晶闸管(TRIAC，Bidirectional Triode Thyrister，Triode AC Switch)是把两个反并联的晶闸管集成在同一硅片上，用一个门极控制触发的组合型器件。这种结构使它在两个方向都具有和晶闸管同样的对称的开关特性，且伏安特性相当于两只反向并联的晶闸管，不同的是它由一个门极进行两个方向控制，因此可以认为是一种控制交流功率的理想器件，主要应用于交流无触点继电器、交流相位控制等。 双向晶闸管的结构、符号 双向晶闸管的伏安特性曲线 双向晶闸管的特性 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 概述 绝缘栅双极型晶体管IGBT是80年代中期问世的一种新型复合电力电子器件，由于它兼有MOSFET的快速响应、高输入阻抗和BJT的低通态压降、高电流密度的特性，这几年发展十分迅速。目前，IGBT的容量水平达(1200～1600A)/(1800～3330V),工作频率达40kHz以上。 IGBT的结构、符号及等效电路 绝缘栅双极型晶体管的工作原理 当（漏极-源极）UDS＜0时，J3PN结处于反偏状态，IGBT呈反向阻断状态。 当（栅极-源极）UDS＞0时，分两种情况 ① 若门极电压UG＜开启电压UT，IGBT呈正向阻断状态。 ② 若门极电压UG＞开启电压UT，IGBT正向导通。  (1) 集射极额定电压UCES 栅射极短路时的IGBT最大耐压值。 (2) 栅射极额定电压UGES UGES是栅极的电压控制信号额定值。只有栅射极电压小于额定电压值，才能使IGBT导通而不致损坏。 (3) 栅射极开启电压UGEth 使IGBT导通所需的最小栅-射极电压,通常IGBT的开启电压UGEth在3V～5.5V之间。 (4) 集电极额定电流IC 在额定的测试温度(壳温为25℃)条件下，IGBT所允许的集电极最大直流电流。 (5) 集射极饱和电压UCEO IGBT在饱和导通时，通过额定电流的集射极电压。通常IGBT的集射极饱和电压在1.5V～3V之间。 三相桥式全控整流电路 触发脉冲 UH31主电路拓扑 输入/输出端子台下层端子台接线图 晶闸管模块 整流保险板 整流保险板即REC P F C 校 正 板 PFC主板板 PFC控制板 DSP控制板 INV/逆变板 电子转换开关 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 电流互感器 维修开关前端 维修开关后端 电感线圈 通讯转接板及 通讯接口板 操作显示板 前侧两个大风扇 两个小风扇 运行模式 市电逆变供电模式 旁路供电模式 电池供电模式 故障模式 市电逆变供电模式 故障 电池 旁路 市电 逆变 开机/消音 关机 循环 确定 UH31系列UPS 本系列型号 – 10KVA——UH31－0100L – 15KVA——UH31－0150L – 20KVA——UH31－0200L 主要内容 晶闸管 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 基本原理 系统框架 内部结构 运行模式 基本操作 阳极 门极 阴极 单向导通的可控性。 单向晶闸管具有： 关断条件： 阳极电流小于维持电流 ( Ia IH ) 阳极与阴极间加反向电压或正向电压降到零 （两个条件需满足其一即可） 导通条件： 阳极与阴极之间加正向电压 门极与阴极之间加正向电压 （两个条件均需满足） 1、外形与结构：五层(NPNPN)三端的硅半导体闸流元件。相当于两个门极接在一起的普通晶闸管反并联。 螺栓式 塑封式 平板式 2、图形符号 T2 T1 G 门极 主电极 主电极 V T2 T1 G G VT1VT2时，控制极相对于T2加正脉冲，晶闸管正向导通，电流从T1流向T2。 VT2VT1时，控制极相对于T2加 负脉冲，晶闸管反向导通，电流从T2流向T1。 导通条件： 主电极与主电极之间加足够正向或反向电压 门极与主电极之间加足够正向或反向电压 （两个条件均需满足） 关断条件： 阳极电流小于维持电流 ( Ia IH ) 主电极与主电极之间电压降到零 （两个条件需满足其一即可） T2 T1 G 门极 主电极 主电极 V 绝缘栅双极型晶体管的主要参数 UH31系列UPS原理 UPS旁路 AC220V 系统输入 AC380V UH31系统框图及其模块组成 导通顺序： VT1－VT2 －VT