影响pn结电流因素.ppt

实际硅p-n结与理想p-n结的偏差： 1、a段：小的正向电压下，实际电流比理想的电流大，空间电荷区复合电流。 2、c段、d段：大的正向电压下，实际电流比理想电流小， 3、实际反向电流比理想反向电流大很多。 引起上述差别的主要原因有： 表面效应、势垒区中的产生与复合、 大注入效应、串联电阻效应。 理想p-n结近似： 忽略了势垒区中的产生与复合电流。 正反向电流主要是势垒区两侧扩散区，少子的正反向扩散电流。 实际势垒区中： 在正偏时n(x)p(x) n0(x)p0(x) =ni2 ，存在着载流子的净复合； 在反偏时n(x)p(x) n0(x)p0(x) = ni2，有载流子的净产生。 1)反偏下势垒区中的产生电流 所以，在反向偏压下的势垒区中存在着载流子的净产生，此时可以近似： 反向电流jR 应为反向扩散电流jDR 与势垒区产生电流jg 之和： 对于p+n结来说，其反向扩散电流密度 显然，由于jg 项的存在， 1、反向电流值jR要加大； 2、jR随反向电压的增加，即pn结宽度xD 随反压增加而变大，使得 jR 具有不饱 和性。 2)正偏下势垒区中的复合电流 在势垒区中，通过复合中心复合的净复合率U（单位时间，单位体积内被复合掉的e-h 对数目） 单位时间、单位结面积的势垒区中复合掉的电子-空穴对数目： 正向复合电流jr 可以近似为： 总的正向电流密度jF 应为扩散电流密度jDF 和复合电流密度jr之和： 以单边突变结n+p结为例，扩散流电流项中有一项可以忽略： 在低温小电压范围内，jr项比较大；随着电压VF增加， jDF项增加比jr项快。 势垒区复合电流的特点： 1、扩散电流与exp(qV/kT)成正比，复合电流与 exp(qV/2kT)，用经验公式表示： JF?exp(qV/mkT) m=2，复合电流为主，m＝1扩散电流为主。两电流成分相接近时，m在1-2之间。 2、扩散电流与复合电流之比为 JFD/Jr和ni及外加电压V有关。V减少， exp(qV/2kT)迅速减少。Si：室温下，ND远大于ni ，故在低正向偏压下，JrJFD ，复合电流占主要地位， a段 。当V增加， exp(qV/2kT)增加，扩散电流占主要成分。 3、复合电流减少了pn结中少子注入。 3)大注入效应 当正向电压VF 较大时，注入的过剩载流子浓度接近或超过被注入区原有多子浓度时，称为大注入。 为简单并具体起见，以P+N结为例来进行讨论。 在小注入下，由于双极扩散和双极漂移产生的自建电场ε比较小，对于少子运动而言，其电流主要是扩散流，因而忽略了上两式中的漂移项p(xTN)q?p?(xTN) 和n(-xTP) q?n?(-xTP) ： 大注入下（对于p+n 结，首先是N区发生大注入效应），由于在耗尽层边界处产生的自建电场已经比较大了，漂移电流项不能忽略。此时外加电场一部分降在势垒区上（Vj），一部分降在空穴扩散区上（Vp）以克服大注入下载流子双极运动产生的自建电场产生的电势。 计算正向电流：通过截面nn’处的电流密度 P+n结，不考虑注入P＋区的电子电流， 且附加电场的漂移电子电流＝扩散电子电流 因此，jn(xTn)=0 * §6.3 影响pn 结电流-电压特性偏离理想方程的各种因素 相应的正向复合电流jr 为： n=p时，电子空穴相遇机会最大，复合率最大 一般情况下， 内建电场如何形成？ 这样，求得在N型区过剩载流子的分布后就可以得出JF的大小 因注入少子浓度远大于平衡多子浓度，所以 扩散区载流子分布近似为线性分布 *