离子辐照产生的空位型缺陷对Si中B原子热扩散的影响.pdf

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2015-09-24 发布于重庆
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离子辐照产生的空位型缺陷对Si中B原子热扩散的影响

29 11 Vol. 29, No. 11 2005 11 HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS Nov., 2005 Si B * 1,2;1) 1 1 1 ( 300072) 2 ( 300072) Si B . Si B 30keV B , 2 ×1014cm−2 . Si : 40 160keV He Si 5 ×1016cm−2 , 800℃ 1h; 0.5MeV F O Si 5 ×1015cm−2 . , B , . . Si B 1 TED . , , Si , B, P n p Si p-n TED [6—10] . , , , , 100nm p-n , : 1) , TED . ; 2) , , [7] p-n (TED)[1—3] . [10]. , He Si ; TED , . , He Si [11, 12], . TED He Si Si [13] , , . , Si , [14]. , Si , He Si TED . . (40 160keV) [4, 5] , Si He Si, (SIMS) 2004 – 12 – 27 , 2005 –02 – 20 * (W50301) (413147) 1) E-mail: liuchanglong@tju.edu.cn 1107 — 1111 1108 ( HEP NP ) 29 He B , 0.5MeV O F . 2