NPT型IGBT静态模型分析及仿真.pdfVIP

‘电工技术杂志)2001年第11期 NPT型IGBT静态模型分析及仿真 廖家平 刘劲楠 (湖北工学院430064) 摘要对非穿通型绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的静态工作特性进行7理论分析。从 比了传统BJT模型和IGBT中包含的BJT模型的分析方法，详细讨论了用双极传输方程分析BJT 模型。在MATLAB的仿真环境中潺加相应的模型描述语言S-function，实现静态特性，为实现动 态仿真提供前提条件。 关键词 非穿通型绝缘栅双极晶体管静态模型 双极传输方程 模型描述语言 性晶体管。这与传统的高增益、低注入的BjT不同。 1引言 使得传统BJT模型不能应用在这里，很多行为模型 电力电子电路的仿真的关键是电力电子器件的 简单地用模型库中的MOS和BJT模型复合为 仿真，电力电子器件的模型直接影响仿真的范围、效 IGBT模型是很不准确的。 果和精确程度。tl80年代绝缘橱双极型晶体管 (／GET)问世以来，它的仿真模型的建立一直受到人 们的广泛关注。国外的一些文献已经讨论了构造 IGBT模型的方法。Hefner…和Kraus[21是其中对 模型特性描述比较全面、具有代表性的两类模型。 Shent“等发展 在这两类模型的理论基础上，Kuang 了模型的某些特性，建立了改进模型。这些模型最 终添加到Saber仿真软件包中，以实现模型的动态 仿真。但Saber仿真环境价格较昂贵，国内应用并 不十分广泛。本文将利用MATLAB．实现非穿通型 图1 NPT—IGBT元胞结构图及模型坐标 绝缘栅双极晶体管的静态特性，为实现MATLAB 3 IGBT模型的静态分析 中动态仿真提供前提条件。 3．1 IGBT中BJT的模型分析 2 NPT．IGBT的结构 从结构图来看，IGBT相当于一个由MOSFET 驱动的BJT，其等效电路如图2所示。在模型 NPT—IGBT是四层结构，N宽基区、无N+缓冲 层。宽基区的宽度大于空间电荷区的扩散长度，这 C 种结构被称为非穿通型结构，如图1所示。它的结 掏和VDMOSFET十分相似，不同的是IGBT多一 PNP 个P+层发射区，可形成PN结J，，并由此引出漏极， 门极和源极与VDMOSFET相似。NPT—IGBT的 N’宽基区的宽度大于维持额定电压所需的最小宽 r G IGBT 度，600V N‘宽基区的宽度约为90tim(芯片厚 度约为100t-m)，基区的宽度几乎是芯片的厚度¨一。 E IGBT可看作MOSFET驱动的BJT，并且这个 图2 NPT．IGBT等效电路围 BJ丁是一个轻掺杂、宽基区、低增益，。～，。)的双极 ——4一 NPT型IGBT静态模型分析及仿真 电工技术杂志2001年第”期 中，反偏的外延层的边缘处的过剩载流子浓度为零， (7) 为BJT的基区和MOSFET的漏区接触的边缘区 Q=qPOALtanh(差) 第一