渐变带隙结构在ⅢⅤ族太阳电池中的应用.pdfVIP

第26卷第5期 半导体学报 V01．26No．5 2005年5月 CHINESEJOURNAL0FSEMICONDUCTORS 渐变带隙结构在Ⅲ一V族太阳电池中的应用* 彭 华 周之斌 崔容强 叶庆好 庞乾骏 陈鸣波 赵 亮 (上海交通大学太阳能研究所，上海200240) 摘要：在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上，研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点，采用 池进行了对比分析．一方面，带宽的递增或递减构成的势垒可以形成附加电场，帮助少子收集，增加少子寿命；另一 方面，渐变后的带隙会影响实际光谱的吸收效率，使得总的载流子产额以及可利用部分发生变化，总结出带隙的渐 变结构对载流子实际产生、收集等情况有着多方面的调制作用． 关键词：太阳电池；渐变带隙；载流子产生；载流子收集 PACC：7280E；9660；4270Q 中图分类号：TK514 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)05一0958一07 2渐变带隙结构理论 1 引言 2．1 Harrison线性模型 对某些Ⅲ一V族化合物半导体合金(混晶)，其晶 格常数和带宽(本文一律使用“带宽”一词来简写和 对渐变带隙的研究最早起源于异质结两边材料 指代“带隙宽度”和“禁带宽度”)一般近似随组分作 线性变化，因此可以生成与衬底材料晶格匹配良好， 交界面上存在导带带阶△E。和价带带阶△E，，而 同时具有渐变带隙结构的化合物，如常见的三元化 合物AlGaAs，GaInP或四元化合物A1GaInP，Al— GaNAs等．此种结构在实践中已经有相当程度上的 应用，例如利用混合晶体的禁带宽度随组分变化的 特性制备发光或激光器件(如GaAs，一。P。发光二极 带顶能量Ev之差，而各个E，可由紧束缚法所给出 管)，以及漂移场电池中利用带隙渐变产生的附加电 的下式来计算西]： 场帮助载流子收集．而在太阳电池领域，前人的工 作[1~41部分是纯理论的大致定性分析，部分是在实 厶 V 厶 验的基础上结合经验进行研究．本文给出了具有渐 式中 E；和睇分别是阳离子和阴离子的p态能 变带隙太阳电池的理论模型，研究了渐变带隙太阳 量；眨是相邻原子p态间的矩阵元，即有 电池的普遍规律和特点，利用AMPS软件和相关试 V!。一2．16h2m了1d2 验参数对几类不同渐变带隙结构的A1。Ga，一。As太 式中m。是电子的质量；d是原子间耦合的距离；h 阳电池的特性进行了计算模拟，获得了此类太阳电 池的一些重要规律和特点． 半导体，还需要考虑不同原子在晶格位置的统计分 布． *上海市科委重大攻关资助项目(批准号：03bzl4014) 彭华男，1979年出生，硕士研究生，从事砷化镓高效薄膜太阳能电池研究． 周之斌男，副教授，从事砷化镓高效薄膜太阳能电池、HIT太阳电池及TCo导电薄膜研究． 2004一04—26收到，2004一09—27定稿 ⑥2005中国电子学会 第5期 彭华等： 渐变带隙结构在Ⅲ一V族太阳电池中的应用 E 根据Harrison模型和修正Harrison的模型，L g