3.3 材料的电导-a.pptVIP

材料的电导 电子型电导 思考：为什么离子电导材料没有霍尔效应 分析： 霍尔效应的产生是由于电子在磁场作用下，产生横向移动的结果，离子的质量比电子大得多，磁场作用力不足以使它产生横向位移，因而纯离子电导不呈现霍尔效应。利用霍尔效应可检验材料是否存在电子电导。 三、半导体中载流子的浓度 费米分布与玻尔兹曼分布 非简并半导体 价带中的空穴浓度 结 论 载流子浓度的乘积 杂质半导体的载流子浓度 杂质能级上的电子和空穴 能带中的能级：可以容纳自旋方向相反的两个电子 杂质能级:只能容纳某个自旋方向的电子 杂质能级上的电子和空穴 n型半导体的载流子浓度 考虑只含一种施主杂质的n型半导体： （1）低温弱电离区 理解EF随T变化： T变化 电离的杂质浓度改变 导带电子数发生变化 EF变化。 （2） 中间电离区 当温度升高，费米能级下降，但温度升高到EF=ED时，施主杂质有1/3电离 n0=nD+=1/3ND 简并化条件 简并半导体的载流子浓度 ?以上公式看出: EF的重要性： 杂质能级与费米能级的相对位置反映了电子\空穴占据杂质能级的情况 ? 当ED-EFkT时， nD≈0，nD+ ≈ ND ，施主基本全部电离。 当ED-EFkT时， nD≈ND，施主杂质基本上没有电离。 思考：ED与EF重合时，电离与未电离的情况？ nD=2ND/3，nD+ =ND/3，施主杂质有1/3电离，还有2/3没有电离。 同理，EF-EA》kT时，受主杂质几乎全部电离了。 当EF远在EA之下时，受主杂质基本上没有电离。 费米能级EF 将半导体中的大量电子看成一个热力学系统，统计理论证明 费米能级就是系统的化学势 1. 意义：系统处于热平衡状态，也不对外做功时，系统 中增加一个电子所引起系统自由能的变化。 2. 处于热平衡状态的系统有统一的费米能级。 费米能级与温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量及 能量零点的选取有关，它是一个很重要的物理参数。 ⊕ ⊕ ⊕ 电中性方程： 导带电子浓度 电离施主浓度 价带空穴浓度 在热平衡条件下，半导体成电中性 思考： P型半导体的电中性方程怎么写？ 总的负电荷浓度=总的正电荷浓度 n0=nD++p0 当温度很低时，大部分施主杂质被电子占据，只有少数杂质电离，使少量电子进入导带，称作弱电离。此时本征激发忽略不计，所以 n0=nD+ ?低温弱电离区费米能级与温度、杂质浓度以及掺入何种杂质原子有关。 代入电中性条件式： 取对数后化简得： 因 nD+ND，则有 ： 在低温极限T→0K时，费米能级位于导带底和施主能级 间的中线处。 E F E D E T EC ED EF NC=0.11ND （3）强电离区 当温度升高到大部分杂质都电离时称为强电离。 当施主杂质全部电离时，n0=ND。 此时载流子浓度与温度无关，载流子浓度保持等于杂质浓度的这一温度范围成为饱和区。 电离的结果：价带中的空穴数增加了， 这即是掺受主的意义所在。 受主能级 EA Ec Ev EA 受主能级靠近价带顶部 (2)受主电离能和受主能级 Si、Ge中 Ⅲ 族杂质的电离能△EA（eV） 杂 质 晶体 0.011 0.16 In 0.011 0.01 0.01 Ge 0.065 0.057 0.045 Si Ga Al B 受主能级EA 受主杂质的电离能小，在常温下基本上为价带电离的电子所占据（空穴由受主能级向价带激发）。 杂质电离或杂质激发： 杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）。 本征激发： 电子从价带直接向导带激发，成为导带的自由电子，这种激发称为本征激发。 只有本征激发的半导体称为本征半导体。 所需要的能量称为杂质的电离能。 例：Si在室温下，本征载流子浓度为 1010/m3，掺入P： 本征激发与杂质激发的对照 P的浓度/Si的浓度=10-6 Si 的原子浓度为 10 22 ～ 10 23 /cm 3 施主 P 向导带提供的载流子 =10 16 ～ 10 17 /cm 3 ＞＞本征载流子浓度 掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，半导体导电的载流子主要是电子（电子数空穴数），对应的半导体称为N型半导体。 称电子为多数载