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CSI-Quality department Shan Xiaohong CSI-Quality department Shan Xiaohong 电池片原理及工艺培训 培训大纲 1.电池片生产工序： A：制绒； B：扩散； C：刻蚀； D：清洗； E：PECVD； F：印刷和烧结； G：测试分选； 一：制绒 制绒目的 消除表面硅片表面有机沾污和金属杂质(杂质颗粒沾污、金属离子有机胶、脱酸等) 去除硅片表面的机械损伤层 在硅片表面形成表面织构，增加太阳光的吸收减少反射（漫反射） 硅片表面预处理 硅片表面沾污主要包括： 有机杂质沾污 颗粒沾污 金属离子沾污 硅片表面损伤层的去除 硅片表面损伤层的去除 表面损伤层的危害 表面损伤层如果去除不净，将会导致残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除，这些都会增加硅片的表面复合速率，严重影响电池片的效率。 损伤层的去除方法 就目前线切割技术来说，一般硅片表面的损伤层厚度（双面）保持在10um，通过硅片的减薄量来衡量。对于单晶硅片，通常采用粗抛或细抛的方法来消除。，但由于现在市场上的硅片普遍较薄所以，粗抛的方法一般不会采用。我们目前单晶制绒的工艺，制绒前的高温稀碱超声就是细抛。对于多晶硅片，通常都会在制绒的同时已经对损伤层进行了去除，单晶有时候也是采用这样的方法的。 硅片表面的织构化 利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同 晶体取向上具有不同腐蚀速率的各 向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀 形成角锥体（就是我们所说的金字 塔）密布的表面形貌 ，就称为表面 织构化。 依靠表面金字塔形的方锥结构,对光进行多次反射,不 仅减少了反射损失,而且改变了光在硅中的前进方向, 延长了光程,增加了光生载流子的产量；曲折的绒面 又增加了p-n结面积,从而增加对光生载流子的收集 率；并改善了电池的红光响应。 硅片表面的织构化 多晶硅制绒是损伤层的去除和制 绒面同时进行的。控制的主要参数是 减薄量。为保证损伤层的去除干净， 减薄必须要够，但不能过大。 制绒工序常见问题 表面问题 我们可以称硅片表面为电池片的脸，脸洗不好，是最容易 被察觉的。常见的问题有： 单晶：雨点，白斑，发白，发亮，流水印等 多晶：一般不存在什么表面的问题，主要集中多 晶体单晶面的问题上。 绒面问题 单晶：金字塔尺寸大小不均，过大，过小等 多晶：减薄不够导致损伤层去除不净，腐蚀坑过 深过窄，减薄过大导致腐蚀坑过大，大的 不规则腐蚀坑洞较多，绒面一致性差等。 基本解决方法 表面问题的解决 绒面问题的解决 不同厂家硅片（国内外）的工艺处理的解决 关键因素的控制 二：扩散 扩散基本概念 原子或离子迁移的微观过程以及由此引起的宏观现象。 从扩散的微观机制分为： 1.置换扩散 2.间隙扩散 置换扩散 间隙扩散 半导体材料特性 扩散的应用 半导体掺杂 固溶体的形成 离子晶体的导电 固相反应 相变 烧结 材料表面处理 太阳电池中的磷扩散 １．三氯氧磷（POCl3）液态源扩散 ２．喷涂磷酸水溶液后链式扩散 ３．丝网印刷磷浆料后链式扩散 目前采用的是第一种方法。 扩散的目的 扩散的目的形成P-N结（高质量的） 扩散示意图 磷扩散基本原理 POCl3热分解的反应式为： 4 POCl3 + 3O2 2P2O5 + 6Cl2 POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散，反应式如前所示： 2P2O5 + 5Si 5SiO2 + 4P TCA清洗原理 三氯乙烷（C2H3Cl3）高温氧化分解，产生的氯分子与重金属原子化合后被气体带走，达到清洗石英管道的目的。其反应式为： C2H3Cl3 + O2 Cl2 + H2O + CO2 POCl3的特性 POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源 无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。 比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。 POCl3很容易发