刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响.pdfVIP

第29卷第3期 半导体学报 V01．29No．3 JoURNALOF 2008年3月 SEMICoNDUCTORS Mal．，2008 张 萍 刘军林 郑畅达 江风益’ (南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心，南昌330047) 摘要：在si衬底上生长了OaN基LED外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光LED芯片．本文研究了 这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性．在切割成单个芯片之前，对尺寸为200pm×200pm的芯片分别通高达 正向电压更低且光强衰减更慢，抗静电性能随老化时间变得更稳定，刻蚀深度为0．8pm的芯片抗静电性能强于刻蚀深度 为1．2“m的芯片． 关键词：蓝光LEDGaN；Si衬底；快速老化；刻蚀I静电 PACC：7280E；8120J；8160C 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2008)03．0563-03 光LED芯片．本文比较了这种芯片在不同n层刻蚀深 1 引言 度情况下的光电特性． GaN材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、2 实验 导热性能良好等特性，适合于制作高频、大功率电子器 件；而利用其直接带隙的特点可以制作高效率蓝光、绿 本文所使用的GaN基LED样品均为本实验室在 光和紫外光的光电子器件．自1991年Nichia公司的 Nakamura等人成功地研制出掺Mg的同质结GaN基子阱蓝光LED结构，其生长方法已有报道[6]，外延片的 蓝光LED以来，GaN基LED得到了迅猛的发展，在信结构如图1(a)所示．然后将外延层转移到新Si基板上， 息显示和固态照明等领域显示出广阔的应用前景[1~5]． 再剥离掉原先生长的Si衬底，此时结构如图1(b)所示， 与蓝宝石和SiC衬底相比，Si衬底除了晶格失配和热失最上面的为缓冲层． 配较大外，其他方面比较符合GaN材料生长的要求，如 在n型层上面的缓冲层是一种多层结构，很难直接 低成本、大尺寸、高质量、导电性等优点，且Si衬底GaN 制作成欧姆接触电极．因此需在电极制作处刻蚀一定深 基材料及器件的研制，将进一步促进GaN基器件与传度，本文采用ICP方法刻蚀．这样制作的芯片为垂直结 统Si基器件的工艺集成，被认为是最有前途且最具挑 构，如图1(c)所示，h为n型电极刻蚀的深度．由于生长 战的GaN衬底材料．随着许多技术和观念上的突破，Si 衬底GaN基材料生长越来越成为人们关注的焦点．已 有几家研究小组报道过在Si衬底上制备了GaN基发 光器件哺~1们．其中，本实验室利用MOCVD系统生长的进行了对比研究。 InGaN x MQW蓝光LED外延片达到了实用水平． 本实验用的芯片尺寸为200“m 200ttm．在切割成 LED的可靠性，包括电学性能和发光性能，抗静电 单个芯片之前，对这种芯片通高达500mA的大电流在 能力一直是研究的热点．Kim认为相比传统的同侧电极测试台上加速老化．实验所用的仪器为XJ4810半导体 LED，垂直结构的LED有较高的光输出、较好的热扩散 管特性图示仪、硅光电池光强探测器、500mA恒流源和 性能及较高的静电击穿电压[111．Jacob介绍了LED的杭州远方公司产静电发生器(人体放电模式)． 衰减机制及其特征[1引．艾伟伟等人[51从金属的电迁移、 测试实验条件为：采用500mA直流