掺磷a—SiH红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究.pdfVIP

维普资讯 SEM ICoNDUCT0R oPT0ELECTRoNICS V0I．28No．1 掺磷 a—Si：H红外薄膜 电阻率及 电阻温度系数研究 史 磊，李 伟，匡跃军，廖乃镘 ，蒋亚东 (电子科技大学 光电信息学院，四川 成都 610054) 摘 要： 用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料，对薄膜的电阻 率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明，掺磷 a-Si：H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH。／ SiH)的增大和气体温度的升高而降低 ，但随退火温度的升高而增大；掺磷 a—Si：H薄膜的电阻温 度系数随薄膜 自身电阻率的增大而增大，但随环境温度的升高而降低。 关键词 ： 等离子体增强化学气相沉积 ；掺磷非晶硅薄膜 ；电阻率 ；电阻温度系数 中图分类号：TN302 文献标识码 ：A 文章编号：1001—5868(2007)01—0080—03 StudyoiltheResistivityandTCR ofP-doped a-Si：H ThinFilms SHILei，LIWei，KUANGYue—jun，UA0Nai—man，jiANGYa—dong (SchoolofOptoelcetronicInformation，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，CHN) Abstract： P—dopedhydrogenatedamorphoussilicon (a—Si：H)thinfilmsaredepositedby plasmaenhanced chemicalvapor deposition (PECVD)，and the resistivity and temperature coefficientofresistance(TCR)ofthetestingfilmsareinvestigatedextensively．Itisobservedthat theresistivityofP-dopeda-Si：H thinfilmsdecreasesbothwiththeenhancementofPH3／Sill4 ratio and with the rise of gas temperature，but increases with the advance ofannealing temperatureafterwards．TheTCR ofP—dopeda-Si：H thinfilmsincreasesastheenhancementof film ’Sresistivitythemselves，butdecreasesastheriseofenvironmentaltemperature． Keywords： PECVD；P-dopeda-Si：H thinfilms；resistivity；TCR 1 引言 主要集 中在 V0 ，掺硼 poly—SiGe]、掺硼 poly— Si]、掺磷或掺硼 a-Si、Pt金属[以及 BaSrTiO3 已见报道的非致冷红外探测器类型主要有 ：电 (BST)[63等 。V 具有 电阻温度系数高、制备温度 阻测辐射热计 、热电堆和热释电等。其中，基于热敏 低以及噪声等效温差 (NETD)低等特点，受到了研 材料电阻温度系数 (TCR)的微测辐射热计 ，由于具 究者们的高度重视 ，其难点是化合物价态易变、控制 有探测率高、与IC工艺兼容性好等优点，成为非致 困难 。BST热释电薄膜虽然具有较高的灵敏度 ，但 冷红外探测器研究和应用最为广泛的一种类型n]。 在磁控溅射成膜时，衬底温度过高，不能与常规 IC 其工作原理是：当红外辐射到像元表面时，转换为热 工艺兼容 。氢化非晶硅 (a—Si：H)薄膜由于具有较 能并引起热敏薄膜的电阻变化，通过适当读出电路 高的电阻温度系数