短脉冲雷射激发兆赫辐射技术及其应用.docVIP

短脈衝雷射激發兆赫輻射技術及其應用 1洪勝富 2齊正中 1國立清華大學電機系 2物理系 e-mail:sfhorng@ee.nthu.edu.tw 摘要 在本文中我們簡介短脈衝雷射激發兆赫輻射技術之發展背景、原理、實驗設置、與應用等。短脈衝雷射激發兆赫波技術由於其簡便的產生方法，靈敏的鎖相偵測技術，並提供皮秒極時間解析度，因此可望在短暫的未來有相當大的應用。 1. 兆赫波研究簡介 所謂兆赫(terahertz)波段，所指的是頻率在1012 Hz附近的電磁頻譜，它包含了由部分毫米波段((0.1 THz)到遠紅外區((25 THz)的一段電磁頻譜。在凝態物理的研究中，兆赫波段是一個非常重要的頻譜；，(acceptor)、(donor)及光激子(exciton)等之束縛能，(optical phonon)、，Landau能譜等，。Tinkham等人使用FTIR技術分析超導體在遠紅外波段的導電率，是直接證實BCS理論的最重要實驗證據之一[1-4]，-聲子散射，各種穿隧機制，在能量或時間尺度上，大都與兆赫波區域重疊。又由於兆赫波段中包含了大多數分子的轉動或振動能階，、、，，。 ，，。，，(tunability)與穩定性(stability)。在電磁頻譜靠近紅外光的一邊，如一般傅氏轉換紅外線（FTIR）光譜技術中所常用的，為1600K至2000K之黑體輻射源，此類的輻射源可提供由近紅外至遠紅外邊的足夠信號強度，惟信號的相干性(coherence)則不甚理想，1.2THz (40cm-1)以下至毫米波段的頻譜。在電磁頻譜靠近微波之另一邊亦存有可靠的半導體及行波管等微波及毫米波波源，但介於此兩者之間的次毫米波段，則欠缺連續可調之振盪器。外插混頻(heterodyne)常用的diode multiplier，如 RPG Radiometer-Physics [5] 所產 1THz 波源，是以 Gunn 振盪器九次倍頻而得，為一定頻輸出，頻寬與可調性十分有限。傳統上能包含兆赫頻譜之波源，(free-electron laser)。，。(即時間解析在ps以下，)時域量測的波源。，，。2. 短脈衝雷射激發兆赫波之發展歷史 八零年代後，由於超快雷射技術的進步，，、，，HBT、HEMTRTD等元件之截止與最大頻率(fT、fmax)GHz以上；(photoconductive switch)產生超短電脈衝以分析元件等之瞬時反應，逐漸成為重要的研究課題。然而，由光致電導閥所產生的電脈衝，必須由產生處經波導傳播至待測樣品處，因此當頻寬與傳播距離增大時，類似於一般電磁能量之情形，經由空間電磁波傳播，即成為另一有用的選擇。八零年初，Mourou 及 Auston 等研究群首先嘗試將光致電導閥所產生的電脈衝以偶極天線輻射出，並使用另一偶極天線來接收[6-9]，此開啟了兆赫輻射波研究之重要課題。後續之研究包含了各種天線之研製[6-16]，其中尤以Grischkowsky所發明之偶極天線尤為重要[13]。其後，Auston p-i-n二極體[17]，delta-doped GaAs[18]，非對稱耦合量子井[19]，甚至從未加偏壓之半導體表面[20]亦可產生頻率在兆赫波段的電磁輻射，ps以下的優點，同時，(synchronized)，因此可應用鎖相(phase-lock)技術來增加量測的靈敏度。其他技術上的突破如1996年Resselaer Polytechnic Institute 物理系張希成 (X. C. Zhang)教授的研究群開發出以(110) ZnTe 來偵測兆赫波之自由空間電光取樣(free-space electro-optic ssampling, FS-EOS) 技術[21]，更10000以上，dynamical range)[21-24]。1998年底該研究群更開發出單脈衝影像取樣(monopulse imaging)技術，。1998年日本Institute of Molecular Science 之 N. Sarukura[25]等研究群所發展磁場下脈衝雷射激發高強度兆赫波源，mW階段。這些發展對兆赫波技術之應用在未來數年中必將有深切的影響。 3. ，Auston (current surge model)或光電導(photoconduction)模型，此乃光激載子受表面或外加電場加速而產生輻射[20]，亦即光電流改變所產生之偶極輻射，此與光電流對時間之一階微分成正比。假設半導體表面電場受光激載子遮蔽效應可略去，則光電流之大小由入射光所激發之光載子數量所決定，因此兆赫輻射波之大小與入射光強之一階微分成正比。但若電流瞬衝模型為兆赫輻射波之主因，則光之功用僅在於激發光激載子，且因半導體表面或p-i-n二極體內之電場方向與晶體方向無關，兆