Si衬底GaN基蓝光LED芯片出光效率研究.pdf

摘要 摘要 近几年来，GaN基LED发展迅猛，但其成本和发光效率一直是制约LED 在照明领域广泛应用的主要瓶颈。Si衬底GaN基LED的出现，虽然在成本等 方面显现出优势，但其出光效率的研究仍然处于起步阶段。本文就提高Si衬底 GaN基LED芯片的出光效率入题，对LED芯片的增透和湿法粗化两种方法进 行了探讨，获得了如下一些有新意的研究结果： 1．湿法粗化是提高Si衬底GaN基LED芯片出光效率有效的方法之一。 其粗化机理遵循极性选择机制：N极性GaN比Ga极性GaN更容易被粗化。另 且呈N极性，本文采用KOH溶液湿法粗化芯片的AlGaN表面。对芯片进行不 同时间的粗化，SEM照片显示粗化后的表面出现许多六棱锥。采用电致发光检 测系统测量比较湿法粗化前后LED芯片的光学和电学参数。结果表明，不同粗 化时间都可以在不破坏电学性能的前提下提高LED的光强。另外，发光波长在 粗化后由于应力的释放发生不同程度的蓝移。采用PEC方法进行粗化的实验， 结果表明xe灯光源对粗化有一定辅助作用：在相同粗化时间下，PEC方法粗 化的表面比普通湿法粗化的六棱锥的密度明显增加；且PEC方法粗化的光强提 高率也比普通湿法粗化高。 2．利用ZnO薄膜的高透光率和化学稳定性，本文选用ZnO作为Si衬底 GaN基LED增透膜材料。首先利用磁控溅射系统在玻璃衬底上沉积ZnO薄膜， 利用x射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射工艺条 件下淀积的ZnO结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱，摸索高透光率所对 应的优化工艺条件。比较不同溅射功率下制备的ZnO薄膜，得到150W条件下 制备的薄膜结晶质量最好，薄膜最平整且在可见光区的透光率最高。固定150W 溅射功率不变，调节不同Ar／02流量比，发现通入02可以明显提高结晶质量和 薄膜平整度，最终得到在Ar／02流量比为2的薄膜结晶性能最好，平整度最高 且在可见光区的透光率最高。 3．利用磁控溅射制备ZnO薄膜的优化工艺条件，在Si衬底GaN基蓝光 LED芯片上镀厚度为九／4(约为117nm)的ZnO薄膜作为增透膜。利用电致发光 摘要 检测系统比较测量未镀膜与镀膜LED芯片的光强、主波长、工作电压及漏电流 分布。结果显示镀膜后的芯片，光强略有提高，说明起到了一定增透效果。另 外电学性能并没有因此受到破坏。 本论文得到了国家863计划和信息产业电子发展基金资助。 关键词：si衬底；GaN；LED芯片：出光效率；znO；增透膜；粗化 Abstract Abstract Inresent ofGaN—LEDis itscostand development rapid．But years，the luminous arethemain inwide in area． efficiency problems applicationlighting has much GaN．LEDonsiliconsubstrateattractedattentionforitslowcost．Butthe researchonitsluminous isstillininitial now．Theofthis efficiency stage topic paper ofluminous ofGaN—LEDOn substrate．The isthe efficiency silicon improvement twomethods anti—reflectionofLEDandwe