AlGaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制.pdf

国家／＼六三计划新材料娟域成果专刊 ·21· ^1GaAssb 1nGaAssb多量了阱结构材料，进行了生长工艺优化投其质量的提高和物理研究。包括非故意掺杂，n型、p型掺杂 申层骨质结构和多量子阱结构材料。 t 材抖 I (4)脊波导AlGaAssbz1GaAssb多量子叶激光器申项基础工艺、器件研制和器件物理。 fj)．叫GaAssb一】n函Assb P】N探测器、ln(，aAssb，7GasbPIN探测器的研制和性能的提高。 【5)建吐锑化物材料与激光器、探测器的表fiF力法与技术。包括结构特性、光学特性，电学特性和激光二极管特性及光谱特 娃 用奉项目研制的锑化物激光器和探测器材料研制出2 光器．功宰550mw．阐值电流420Ⅱ1A．阈值电流密度480A．rm2。研制出1．9～2 0×1 o3rmHzl r垴=j 0’cⅡlHz¨w，Di一4，95×11／w．响应度78V／w。InGaAssbPlN探测器波长范围1．8～2．5pm，D÷一】．s —t 2 5 3×10‘cmHzl W= 所研制出的上述激光器和探测器已存汞镉碲材料的均匀性测量系统、汞镉碲探测器抗辐照系统、分子光谱、地物光谱仪、红 ，}测温仪、红外摄像仪等方面进行r实用化试验。 当前美国十分重视I Y族锑化物材料与器件，井列为牵点发展方向之一。国际卜瓦缎宽条锑化物激光器、85毫瓦级室温 盎续锑化物激光器己问世：把MRE锑化物材料与器件作为主要产品的公司已于2000年成立。他们对市场十分看好。经查新， 我们的研究处丁与国际同步研究，达国际先进水平，已在国际锑化物领域占有一席之地。“九五”863新材料领域对锑化物材料 与器“的部署及所取得的成果已在整体水平上上了一个台阶，为实用化打下了坚变的基础。 ool0141) (项目绾号：715 AlGaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制 关兴国 彤 i三 电子引一研究所{r能公司，也家庄05n051j 8c年代末期以来．甩MOcvD生长的异赝结、量_』T阱和超晶格材料【1益硅示出它在技术上的重要性．用其制作的LED具 肓常规器件无法比拟的优芹性能，并且以全新的概念改变了器件的设计思想，使得半导体器件设计南“掺杂工程”走向“能带r 程”．高级器件的制作越来越倚重于材料结悔生长了。 l998年投资从德国 }r能公司是中国节能投资总公u】与信息产业部第_卜三研究所台资必办的一家高科技公司。{袅公司f ^IxTRo＼公司舅fI买丁一台AIXTRoN 01)。突破材料结构谩 做结构材料．并承担了863计划中的“A1GaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制”课题(课题号：z34一03 ；{和材料牛长工艺的关键技术．最终实现产业1匕生产。 到目前，提们全面履行了台同所规定的再坝研究内容。超额完成合同所规定的各项技术指标．全面达到合同的总体目标。 1完成的具体指标 0r11A)；@连续生长 外延片二个批次．成品率小低于90％。 2突破的关键技术 Al(；aInI’的掺杂技术；@电流扩展 i结构材料设i十优化技术；②高纯外延层的牛长技术；③DBR和趟品格牛长技术；④P 薯的优化设计；@GaP层表面形貌的控制；⑦厚度、浓度、蛆分控制技术；@材料质鞋表征；⑨生产工岂控制： 5已达到的技术指标与国外同类技术指标的对比 1999年7月．受新材料领域专家委员会的委托，信息产业部主持本项目的产品定型鉴定会。与会专家