CuCr1-xMgxO2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能.pdfVIP

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2015-09-29 发布于湖北
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CuCr1-xMgxO2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能.pdf

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CuCr1-xMgxO2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能.pdf

第20卷第5期中国有色金属学报 2010年5月 ofNonferrousMetais 、，oI．20No．5 TheChineseJournal May2010 文章编号：1004—0609(2010)05—0898—05 李杨超，张铭，董国波，赵学平，严辉 (北京工业大学材料科学与工程学院，北京100124) 摘要：采用射频磁控溅射方法，在石英衬底上制备Mg掺杂的CuCr02薄膜。通过XRD、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征该系列薄膜样品的结构与光电性能。结果表明：退火处理后所有薄膜样品的结晶性良好，均为3R S／eta，比型铜铁矿结构；薄膜的电导率随掺杂量的增加而增大。当x--0．09时，样品的室温电导率可达6．16×10-2 未掺杂的CuCr02提高近400倍，且霍耳测试表明所制备的薄膜为P型导电体。电导率随温度变化关系表明：薄 eV。膜样品在200～300K的温度范围内均很好地符合Arrhenius热激活规律；当x0．09时，最低激活能仅为0．034 薄膜的可见光透过率与光学带隙宽度均随掺杂量的增加而减小。关键词：CuCr02薄膜；CuCrl-xMgx02薄膜；光学性能；光学带隙：室温电导率；激活能中图分类号：TN304 文献标志码：A andelectrical of Optical properties films CuCrl-xMgx02(0≤x≤O．09)thin LI Guo-bo，ZHAO Hui Yang-chao，LrHANGMing，DONG Xue-ping，YAN ofMaterialsScienceand (College Engineering，BeijingUniversityofTechnology,Beijing100124，China) Abstract：Aseriesof filmswere on substrates CuCrl埘gp2(O≤x≤O．09)thindepositedquartz usingradio丘equency andelectrical thinfilmswere magnetronsputtering．Thest邝ctIlres，opticalpropertiesofCuCro．91M90．0902 investigatedby indicates diffractometry，double-beamspectrophotometry，electricalpropertymeasurement，respectively．XRDpattern film thatallfilmsa托：of3R delafossite