TiO2和MgO掺杂的ZnO导电陶瓷材料.pdf

张兆生等：Ti饶翔MgO掺杂的ZnO导电陶瓷材料 Ti02和MgO掺杂的ZnO导电陶瓷材料。 张兆生，卢振亚 (华南理工大学材料学院电子材料系，广东广州510640) 分量很少且主晶棚成分不变，因此假定样品的理论密 摘 要： 以ZnO为基添加A1203、Ti02和MgO制备 了导电跨瓷；研究了Ti。2、MgO掺杂含量对ZnO购瓷 相对密度、电黼率争电阻温度系数秘影响；瓣试分辑7 鬣涂覆欧姆电校，所采用欧姆毫极浆辩的圭成分是金 ZnO导电陶瓷在小电流和脉冲大电流下的伏安特性。 属铝粉。 2182A电 结果表明，掺Ti有利于致密烧结，Ti02含甓为0．6％采用伏安特性测试系统(KEITHLEY (质量分数)时，样品相对密度为96％，室滋小电流下压表和KTITHLEY6221电流源)测试样品的电阻值 溯试英电阻攀沌8．14Q·cm；添加适量MgO能洚豫弗计算榜凝电阻率。采用上述伏安特性嚣试系统结合 电阻率且可改善电阻温度系数，MgO含量为0．4％ (质量分数)时，小电流电阻率为5．67Q·era!室温小 值随温度的变化，由公式(1)可计算电阻温度系数： 电流下样品伏安特性接近线性，在脉冲大电流下呈现 一定非线性特慷。 口=丽RT—Ro口2酉瓦孬 (1)‘1’ 关键运：ZnO导电陶瓷；宅黧率：脉冲电流测试 其中，R?势温度为Z时麓电阻，禹趁始滋度电 中图分类号：TB34 文献标识码：A 阻，△T为最高温度与起始温度的差值。将不同成分 的烧结样品粉碎过200目筛，用于粉末X射线衍射试 文章编号：1001-9731(2009)09—1455—04 验，获得XRD图谱进行晶相成分分析。 1 引 言 3结果与讨论 由于具有钎锌矿极性结章弩耩常温下存在锌离子填 3．1 TiOz、MgO对ZnO陶瓷烧结性能的影响 隙本征缺陷，ZnO在常温下就具有n型导电特性[1]。 在氧化锌中掺入化合价较高、离子半径与钵离子较接 由图1曲线(1)可以看出，样品的相对密度随 近的A13+、Ga3十等，可以形成施主掺杂[2]，其电阻率可 以僬至0．068fl·cm。ZnO导电晦瓷在室瀑或者更低 温度下就可以导电，不需预热就可以工作c3】。 数)时，相对密度达弼最大约为96％。由此可以看出， ZnO导电陶瓷具有线性的弘J特性、可调的电阻 率，可作为大功率线性电阻用于电力传输线路中性点 低压压敏电阻的材料组成中，人们也常添加TiO。作为 接地电阻器，可以通过相当大的电滚和承受很嵩豹能 鼹粒助长荆o]。誓i是不稳定的过渡金属，有较大的电 量疆】。善前有报道静ZnO导电羯瓷多是ZnO-A1。0。一 MgO系。本文采用传统电予陶瓷工艺，制备了掺Ti 半径的差异，会弓I起ZnO晶格的畸变而使晶格活化， 的ZnO导电陶瓷，并分析了Ti02的加入和添加MgO 对ZnO导电陶瓷烧结、电阻率及电阻温度系数等的影 健进固相传质，促进ZnO陶瓷的烧结，有利于Zn0晶 响。 粒的长大。因就添黧适量翦Ti侥，对予ZnO隗瓷戆 致密烧结是有利的i但添加过多的Ti晓时，晶粒生长 2实验 速度很快，不利于气孔的排出，晶粒大