TiO2掺杂ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3系低压压敏陶瓷的微结构和电性能研究.pdf

第40卷第2期 人 工 晶 体 学 报 v。1．40No．2 垫!!堡!旦： ： ：丝坚垦垒垒兰皇!些垒三望兰里篁堡垒兰i三垒望：：：：：：：：：：：：：垒鲤!：!!!!：=：： Ti02掺杂ZnO-Bi203一C0203-MnC03系 低压压敏陶瓷的微结构和电性能研究 巨锦华，王 华，许积文，任明放，杨 玲，袁昌来 (桂林电子科技大学材料科学与工程学院，桂林541004) 摘要：采用同相反应法制备了TiO：掺杂的ZnO—Bi：0，．Co：0，一MnCO，系低压，K敏陶瓷。采用x射线衍射、扫描电镜、 压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了掺杂量对陶瓷的微结构、压敏性能和阻抗等影响。结果表明：掺杂1．0 t001％TiO：时综合电性能最好，压敏电压梯度为21．6V／ram，漏电流密度为0．02i_LA／mm2，非线性系数为33；掺杂餐 大于1．0t001％时，压敏电压梯度降低的同时也使非线性系数降低．漏电流密度增大；Cole—Cole形式的复阻抗谱图 表明掺杂】．0 最为明显。 关键词：ZnO．Bi：03．C0203-MnCO，压敏陶瓷；微结构；电性能 中图分类号：TM283 文献标识码：A MicrostructuresandElectrical of PropertiesTi02-doped Based VaristorCeramics ZnO-Bi2Os-C0203-MnC03Low-voltage JU Jin—hua，WANGHua，XUJi·wen，RENMing-fang，YANGLing，YUANChang—lai of Science of 54 (SchoolMaterial and Electronic 1004，China) Engineering，GuilinUniversity Technology，Guilin 28June 1 3December (Received2010，accepted 2010) Abstract：The based varistorceramics with was ZnO-Bi203-C0203-MnC03low—voltage doped Ti02 solid-statereaction thee能ctsof contentonthe preparedby method，and doping and werestudied electron impedance byX·raydiffraction(XRD)，scanning instrumentvaristorand varistorwith1．0 exhibitthebest parameters impedanceanalyzer．The m01％Ti02 electrical thethresholdof21．6 current of properties，with voltage V／mm，theleakage density0．02恤A／ thenonlinearcoefficientdecreasea