Ce3+注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响.pdf

第29卷，第6期 光谱学与光谱分析 2oo9年6Jj and June，2009 SpcctroscopySpectralAnalysis Ce3+注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响 杜玛瑶1，衣立新’，王申伟，邬 洋 北京交通大学光电f技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京100044 摘要研究r铈离子注人和二次退火等困素对硅纳米晶(nc-si)发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高 2和2．o×1015咖1剂量的铈 温退火得到nc-si／si()2超品格结构。随后将该结构样品分别注入2．o×lo“cm 离子(cc3+)，再分别以不同温度对其进行二次退火，获得多种样晶。通过埘样^^光敏发光光谱的分析发现， ce3+注入后未经过二次退火的样r铺发光强度急剧下降。二次退火后的样品，随着退火温度的升高，样品的光 敏发光5：虽度逐渐增j：虽。但’温度超过600℃时，发光强度反而下降，600℃为二次退火的最佳退火温度。注 入适Ⅵ{剂转的Ce，其发光强度叮以超过未注入时的发光强度，皑+的注入存在饱和剂量。研究表明，样品 发光强度的变化受到铈离子注入剂餐和注入后二次退火温度等因素的影响，并IL存在着Ce3+到nc_Si的能 鐾传递。 关键词超-铺格；石￡纳米品；铈；离子注入；光致发光 中图分类号：()472+．3文献标识码：A DoI：10．3964／j．issnlOoO—0593(2009)06—1486一03 引 言 1实验 多年米为了能够实现硅基光电集成器件，科学家们已经 利用电子柬蒸发镀膜机在单品硅衬底上交替生长si()和 提出和研究了多种硅基发光材料。f11．由于硅是一种‘1E直接带 隙半导体，发光效率很低，因此硅长期被判定为非发光材 层厚分别为2和4胁。将si()／si()2超品格样品置入石英管 料。ffl．是Canham等¨一在审温下发现多孔硅在近红外区和可中，在氮气保护下经lloo℃高温退火，退火过程中Si0在 见光Ⅸ激发出发光强度i雎高的可见光，预示着完伞可以制备 高温下发生栩分离L9—0J 出适合于光电器件应用的纳米硅，促进r整个纳米硅领域研 1 lnn．r、 2Si0二二二二二；si+Si()2 究的进展。研究表明，纳米硅的光致发光主要原足由nc-Si 从而得到nc_si／SiQ超品格。在160keV功率下，分别 的蟥子限域效麻引起的『2】。几前如何增强硅纳米品(nc-Si)光 以2×lO“·锄_2和2×1015·咖2的剂量将铈离子注入到 致发光强度已经成为研究的热点。对硅纳米晶进行氧饨化L3] nc_si／Si02超品格样品巾，然后在氮气保护下对样品进行不 能够柏‘效提高其光敛发光效率。彳fC是氧钝化法制备的样品要 同温度的二次退火，退火温度分别为200，400，600，800℃。 受温度的限制。另外，把磷离子或硼离子注入硅纳米晶【4一也 利用荧光光谱仪测醴二次退火后样品的室温光致发光光谱。 口r以提高Ji；光敏发光效果，办应翠等¨j采用CeF3掺杂增强 nrll。 光谱的激发光由氙灯发射，激发波长为330 了硅纳米品光敛发光强度。我们希望通过铈离子(@+)注 入，来提高硅纳米品光敏发光搬度。当前，nc-si的制备主要2实验结果与分析 通过Si汽接注入L6J、电子束蒸发【7J、热蒸发等，再经过处理 可以得