不同沉积温度下V掺杂的TiN薄膜的结构和性能.pdf

吴玲等：不同沉积温度下V掺杂的TiN薄膜的结构和性能 不同沉积温度下V掺杂的TiN薄膜的结构和性能。 吴 玲，赵高凌，段钢锋，汪建勋，韩高荣 (浙江大学材料科学与工程系硅材料国家重点实验室，浙江杭州310027) 摘要：利用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃 2 实 验 基板上沉积制备了钒(V)掺杂的氮化钛(TiN)薄膜。 利用X射线衍射仪(XRD)、光电子能谱仪(XPS)、扫2．1样品的制备 描电子显微镜(SEM)、四探针电阻仪和分光光度计等 在氮气保护下，以四氯化钛与四氯化钒混合液和 对TiN薄膜的结构、形貌、以及光电性能进行了分析。 氨气为前驱体，在玻璃基板上沉积钒掺杂的氮化钛薄 结果表明，薄膜呈典型的粒状结构。随着沉积温度的 膜。沉积装置类似于文献E83中所采用的反应器。沉 升高，薄膜的结晶强度不断增加，薄膜中V元素的比 积反应前，对反应室进行反复抽真空并充入氮气以除 例增大，方块电阻逐渐降低。600℃时薄膜在近红外光 去反应室中的空气。四氯化钛与四氯化钒混合液和氨 区的反射率接近50％，在中远红外区的反射率达到 气通过两条独立的气路进入反应室，其中，氮气作为载 93．74％，得到了兼具阳光控制功能和低辐射功能的V气通过串联的鼓泡器将汽化的四氯化钛和四氯化钒载 掺杂的TiN镀膜玻璃。 入到反应室中。在本研究中，氨气的载气流量为 关键词： APCVD；沉积温度；掺钒；氮化钛；结构和性80mL／min，四氯化钛和四氯化钒混合液的载气流量为 能 中图分类号：TQl34 文献标识码：A 文章编号：1001-9731(2011)04—0643—03定于45s，而沉积温度在550～650℃范围内变化。 2．2样品的测试 1 引 言 TiN是一种典型的过渡金属氮化物，具备良好的 膜的物相组成和结晶情况，Cu靶，Ka辐射源(A= 类似金属的导电性。根据Drude模型，过渡金属氮化 物的良好的导电性使氮化物薄膜呈现较高的中远红外 反射率，因而氮化钛薄膜具有较好的低辐射性[1。33；同子能谱仪分析薄膜中V元素的化学状态。采用荷兰 PHILIP公司制造的FEISIRI()N型场发射扫描电镜 时，TiN薄膜在近红外区也有一定的反射率[4]，所以 TiN薄膜可以应用在节能镀膜玻璃领域。近年来， 分析薄膜表面形貌。采用XY-2型四探针电阻测试仪 TiN薄膜作为节能膜的研究越来越受到重视。Zhao来测量薄膜的电阻。采用日立公司制造的U-4100型 等人[51采用APCVD法在玻璃基板上制备得到TiN薄分光光度计测定薄膜的反射和透射光谱。 膜并发现TiN薄膜可以作为高效节能薄膜使用。 3结果与讨论 Smith等人[6]也采用磁控溅射法制备得到了TiN薄 膜，认为TiN薄膜可以用于阳光控制镀膜玻璃领域。 3．1薄膜的结构 TiN薄膜的节能性能与其电学性能密切相关口]。 图1是不同沉积温度下得到的V掺杂的TiN薄 为了进一步改善TiN薄膜的节能性能，本研究小组在 膜的XRD图谱。从图1中可以看出，温度为550℃ 常压化学气相沉积(APCVD)法制备的TiN薄膜中掺时，薄膜中出现了3个氮化钛的特征衍射峰，分别为 入钒离子，提高薄膜中载流子的浓度，从而得到具有更 好节能性能的镀膜玻璃。研究过程中发现，TiN薄膜 中V的引入量强烈依赖于薄膜的沉积温度。本文讨 上发生择优取向，并且衍射峰的强度随着温度的升高 论了APCVD法制备V掺杂的TiN薄膜时，沉积温度 不断地增强，表明薄膜的结晶性能不断地改善。这是 与薄膜的组分、结构的关系。同时也讨论了其光学及 因为随着温度的升高，化学反应的速率变快，在玻璃基 电学性能。 底上成核生长的速率变快，更容易形成晶格完整的薄 膜。综上，在这个温度区