低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCpAl电子封装材料.pdfVIP

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2015-09-29 发布于湖北
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低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCpAl电子封装材料.pdf

第17卷第6期功能材料与器件学报 VoL17．N0．6 2011年12月 JOURNAL0FFUNCll0NALMATERIALSANDDEVICES Dec．．201l 文章编号：1007—4252(2011)06—0620一05 低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCp／Al电子封装材料胡盛青1，万绍平1，刘韵妍2，舒阳会1，谭春林1，张刚1 (1．湖南航天高新材料与装备技术研发中心，湖南长沙410205； 2．湖南航天诚远精密机械有限公司，湖南长沙410205) 摘要：选用W7与w63两种sic粉末，采用高、低温粘结剂配合，模压成型，850℃空气气氛低温多段合材料。结果表明：复合材料xRD图谱中未出现明显的Al。C。界面相和SiO：杂相；致密度高；子封装材料。关键词：低温多段烧结；真空压力浸渗；SiCp／A1 中图分类号：TB331文献标识码：A forelectrollic low SiCJ∥Alcomposites packa西ngpreparedby tempemture 耐th andVacuumPressureIn脚tration multi—stepsintering HU Sheng—qin91，WANShao-pin91，LIUYun—yan2，SHUYang—huil，’rANChun—linl，ZHANG Gan91 and RD (1．High—techmaterialequipmenttechnology CenterofHunan 410205，China； Aerospace，Changsha Precision ofHunan 2．Cheng)ruanMachineryCo．，Ltd Aerospace，Changsha4∞205，China) withVolume Abstract：’rhe fIaction65．13％SiCwerefabdcated SiCp／Alcomposites bycompression with underair a王1dVacuumPI．essure molding，850℃lowtemperaturemum—stepsintering atmosphere Infiltrationwith1瞩厂7andW63twokindsofSiC A1 and adhesivecom． powder，6063A110yhightemperature binedwithlow The adhesive．resultsshowthattherearenoobvious andim． temperature AldC1interphase ljke intheXRD ofthe wi￡h I’elative anditsThe瑚alEx— puri￡yphaseSj02 pattemcompositesh