初始Si含量对离心法制备过共晶Al-Si合金FGM中初晶硅分布的影响.pdfVIP

复合村料学报 第20卷 第6期 12月 2003年 ACTAMATERIAECt)MPOSllAESINICA Vnl 20 NO．6 3851(2003)0605 文章编号：1000 00l6 初始si含量对离心法制备过共晶Al—Si 合金FGM中初晶硅分布的影响 于思荣1，张新平“2，何镇明1，刘耀辉1 (t吉林大学材料科学与工程学院，长春130025，z．清华大学机械系，北京100084) 摘要：很多实验表明，si含量不同导致离心法制备过共晶A1一s·台金梯度功能材料(FGM)中初晶硅分布内外 侧不同。为了解释这一实验现象，通过理论分析，提出存在一I临界初始含量和I临界析出温度的观点。分析表明：当st 含量低于临界含量和析出温度低于临界析出温度时，过共晶Al—si合金析出的初晶硅密度小于残余合金熔稂密度； 当si含量高于临界含量时，在l临界温度以上合金析出的初晶硅密度大于合金熔液密度，临界温度以下合金析出的 初晶硅密度小于台金熔液密度。这导致了离心法制备不同初始s-含量的过共晶A1sl合金FGM中初晶硅分布于 内外侧不同。最后采用实验进行了验证。 关键词：离心法；过共晶A1一sl合金，FGM；初晶硅；si含量 中圈分类号：TB331文献标识码：A INFLUENCE0FPRIMARYSiCoNTENToNPRlMARYCRYSTALSILICON DISTRIBUTIoNINHYPEREUTECTICAl—SiALLoYFGMPREPARED BYCENTRIFUGALCASTING YU Yaohuil Siron91，ZHANGXinpin91～，HEZhenmin91，LIU ofMaterialsScienceand 130025·China； (1．College Engineering，JilinUniversity，Changchun ofMechanical 100084，China) 2．Department University-Beijing engineering，Tsinghua showthatthe Sicontentaffectsthe Abstract：Manyexperimental primary primary phenomena silicondistributionin A1一Si crystal hypereutecticalloyfunctionallygradient thedistributionofthe silicon，theinflu— control paredbycentrifugalcasting．To primarycrystal enceisstudied．Thecritical Sicontentandcritical were theoretical temperature by