前驱膜Al含量对铜铟铝硒薄膜成分和结构的影响.pdfVIP

第30卷第1期 太阳能学报 V01．30。No．1 2009年1月 ACTAENERGiAESOI．ARISSINICA Jan．，2009 文章编号：0254-0096(2009)．01．0094-03 前驱膜AI含量对铜铟铝硒薄膜成分和结构的影响 向 华，庄大明，张 弓，李春雷 (清华大学机械丁程系，北京lo0084) 摘要：采用中频交流磁控溅射方法制备了CIA前驱膜，并采用固态硒化法进行处理，获得了CIAS吸收层薄膜。 收层薄膜成分、晶体结构的影响。结果表明，通过调节CIA前驱膜的AJ含量可制备得到Cu／(In+AI)原子比接近1， 代In的固溶形式存在。 关键词：太阳电池；CIAS；磁摔溅射；前驱膜；硒化 中图分类号：TM615 文献标识码：A 表1 CIA前驱膜试样编号及靶功率密度 O 引 舌 Tablel fortheCIAfdm Sputteringpowerdensity deposition 以CIAS为吸收层制成的薄膜太阳电池的转化 试样编号 A1 A2 A3 A4 效率已经达到16．9％[13。CIAS薄膜的制备方法主靶功率密度 Culn靶0．350．35O．35 0．35 0．20O．250．30 要有多元共蒸法和硒化法[2“]。研究表明，要获得 e／(w·cm。2)CuAl靶0．15 优良的光伏性能，要求CIAS的元素化学计量比偏离 硒化采用硒蒸气硒化法，采用N2作为Se蒸气 小，各元素分布均匀。因此在前驱膜CIA中加入灿 的载气，硒化工艺参数如表2。所获得的CIAS薄膜 并精确控制AJ含量是CIAS薄膜太阳电池制备及光 试样编号与CIA薄膜相对应，为B1、B2、B3、B4。 电转化效率提高的技术关键和难点。 表2 CIAS薄膜硒化处理工艺参数 Table2 Selenization forCIASfilms 本文采用中频交流磁控溅射法交替溅射Culn parameters 和CuAl靶材的工艺制备了CIA前驱膜，采用硒蕉气 硒化法-51制备了C1AS薄膜。着重考察了CIA前驱 膜中的m含餐对CIAS薄膜成分、均匀性和结构的 影响，并对薄膜表面形貌进行了观察和分析。 膜成分及表面形貌。采用D／max．RB型x射线衍射 1 实验方法 2结果与讨论 CIA前驱膜的制备采用双靶位中频交流磁控溅 射设备交替溅射Culn和CuAl靶材沉积工艺，交替溅 2．1前驱膜Al含量对CIAS成分的影响 射的工艺参见参考文献[4]。制备A1、A2、A3、A4多 采用EDS测试了硒化前后薄膜中Cu、hl、灿、Se 层膜时，Culn靶和CuAI靶同时开启，基片架连续旋 的原子比，结果如表3，表中还给出了对CIAS太阳电 转。A1、A2、A3的溅射时间为60min，A4的溅射时间 池影响较大的Cu／(In+灿)和Al／(In+舢)。 为50rain。用以考察灿含量的影响。表l为所制备 比较Al、A2、A