反应离子刻蚀和自组装分子膜构建硅基底疏水与超疏水表面.pdfVIP

V01．32 高等学校化学学报 No．12 2011年12月 CHEMICALJOURNAL0FCHINESEUNlVERSmES 2833—2837 反应离子刻蚀和自组装分子膜构建 硅基底疏水与超疏水表面 连峰1，张会臣1，邹赫麟2，庞连云1 (1．大连海事大学机械工程系，大连116026；2．大连理工大学机械工程学院，大连116024) 摘要采用反应离子刻蚀技术在Si(100)表面加工微米级圆柱阵列，采用自组装技术分别制备了3种硅烷自 组装分子膜．结果表明，采用反应离子刻蚀构建出的4种微米级圆柱阵列结构规整，其直径为5|I肌，高度为 10¨m，间距为15～45岬m．沉积自组装分子膜后，试样表面的水接触角显著增大，其中沉积lH，1Ⅳ，2H，2肌 全氟癸基三氯硅烷(FDls)自组装分子膜接触角最大，1日，1H，2日，2皿全氟辛烷基三氯硅烷(F01陷)次之，三 氯十八硅烷(吣)最小．测得的接触角大于150。时接近c踮sie方程计算的接触角，而小于150。时接近 we北el方程计算的接触角．改变圆柱阵列的间距和选择不同的自组装分子膜，可以控制表面接触角的大小． 原子力显微镜(AFM)观测结果显示，沉积自组装分子膜可以产生纳米级的团簇．由微米级圆柱阵列和纳米 级自组装分子膜构成的表面结构使Si试样表面接触角最大可达156．O。． 关键词超疏水；接触角；反应离子刻蚀；自组装分子膜 中图分类号0647；0484．41文献标识码A 文章编号025lJD790(2011)12_2833旬5 硅材料在微电子机械系统中的应用日益受到重视¨J，有关硅材料微观摩擦学的研究已成为国际摩 擦学领域的前沿课题【2’3]．利用分子自组装技术在摩擦表面上形成自组装单分子膜(简称SAMs)，以期 降低摩擦磨损的方法是实现超薄膜润滑的一个可能途径【4J．这种单分子膜具有强疏水性和低表面能． song等[51采用脉冲激光刻蚀硅片表面，经氟烷基硅烷表面修饰后，得到了接触角约156。的超疏水表 面．管自生等№1采用这种方法得到了接触角约1650的超疏水表面．0ner等川采用光刻技术在硅基体表 面上制备了规整的微米柱阵列，经硅烷表面修饰后，得到了前进／后退接触角高达176。／156。的超疏水 表面．Yoshimistu等【81采用光刻技术在硅基体表面上制备了规整的微米柱阵列，经氟烷基硅烷表面修 饰后得到接触角约150。的超疏水表面．然而，从理论分析角度考虑，对于表面微结构的几何尺寸与表 面润湿性之间关系的定量研究还有待深入．本文在硅片表面采用反应离子刻蚀构建不同间距的微米圆 柱阵列，在此基础上，采用自组装技术制备了3种自组装分子膜，分别用wenzel方程和cassie方程对 试样进行定量分析，研究了表面润湿性与表面微结构和不同自组装分子膜之间的关系，为制备最佳的 表面结构提供参考． 1 实验部分 1．1试剂与仪器 Q·cm之间)．成膜分子1日，1日，2日，2皿 Si(100)(北京有色金属研究院，电阻率在0．010～0．015 和三氯十八硅烷(0码，纯度为95％)均购自nuka公司． 80RC匀胶机和SuSSMA6／BA6光刻机，法国AdixenAMSl00干法刻 反应离子刻蚀采用德国SuSS Drop型 蚀机．试样的表面形貌采用NewⅥew5022型表面轮廓仪(美国zygo公司)进行表征．采用Easy 收稿日期：2011m3一18． 基金项目：国家自然科学基金(批准号和辽宁省教育厅重点实验室(批准号：2008S029)资助． 联系人简介：连峰，女，博士，教授，主要从事表面改