不同衬底材料上外延CVD金刚石的研究.pdf

No．4 第12卷第4期 宝石和宝石学杂志 V01．12 of 2010年 12月 JournalGemsand Dec． 2010 Gemmology 不同衬底材料上外延CVD金刚石的研究 满卫东1，吕继磊1，吴宇琼2，陈朋1，朱金凤1，董 维1，汪建华 (1．武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室．湖北武汉430073； 2．江汉大学化学与环境工程学院，湖北武汉430056) 摘 要：利用自制的5kw微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置对在不同衬底材料上外延生长的 CVD金刚石进行了研究。利用HPHT金刚石、CVD异质形核生长的金刚石及Ia型天然金刚石样品作为籽 晶。分析了不同CH，浓度与基片温度对外延CVD金刚石的影响以及通过扫描电子显微镜表征了CVD金刚 石外延面的表面形貌。结果发现，HPHT金刚石为籽晶，由于其自身缺陷导致外延效果不佳；CVD异质形核 生长的衬底因形核阶段的晶面生长难以控制而使其外延面较粗糙；经打磨的Ia型天然金刚石才是理想的籽 晶。当CH。浓度约为10％、基片温度为1 020℃时，CVD金刚石的外延生长速率可达到70．0耻m／h。 关键词：宝石级金刚石；微波等离子体；化学气相沉积；外延；籽晶 中图分类号：TS93 文献标识码：A CVDDiamondGrowthonDifferent Epitaxial Substrates MAN Wei—dong’，LVJi—leil，WU Yu—qion92，CHENPen91， ZHU Weil，WANG Jin—fen91，DONG Jian—hual (1．Provincial Plasma andAdvancedMaterials，Wuhan KeyLaboratoryof Chemistry Institute 430073，China；2．School ofTechnology，Wuhan ofChemistry Environmental 430056．China) Engineering，JianghanUniversity，Wuhan Abstract：TheCVDdiamond ondifferentsubstrateshome-mademicro— epitaxial growth by wave CVD kWare reactorwith5 studiedinthe HPHTdiamond． plasma mainly paper．The diamondand naturalIadiamond areusedasthesub