纳米棒溷合阵列的制备及其光致发光性能研究.pdfVIP

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2015-09-30 发布于重庆
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纳米棒溷合阵列的制备及其光致发光性能研究

第4o卷第3期人工晶体学报 Vo1．40 No．3 2011年6月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS June．2Oll ZnO纳米线／纳米棒混合阵列的制备及其光致发光性能研究栗粟，章晓中 (清华大学材料科学与工程系，先进材料教育部重点实验室，北京电子显微镜中心，北京 100084) 摘要：使用无催化剂热蒸发法，在ZnO／Si薄膜衬底上制备了ZnO纳米线／纳米棒混合阵列。其中，纳米线的直径为 10～20nnl，纳米棒的直径为60～160nnl，二者混合在一起垂直生长于衬底表面。从衬底的上游到下游位置，混合阵列中纳米线的含量逐渐下降，纳米棒逐渐增多。室温光致发光测试发现尺寸较小的纳米线阵列的紫外光发光强度比大尺寸纳米棒阵列高约5倍。持续激发光照射下，纳米线阵列的发光强度逐渐上升，停止光照后又逐渐下降到初始值，这可以用纳米线表面02分子的解吸附和吸附过程来理解。关键词：ZnO纳米线；纳米棒；热蒸发法；光致发光中图分类号：TP104 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2011)03-0567-05 PreparationandPhotoluminescencePr operties ofZnO Nna owire／NanorodMixArrays Ⅱ Su．ZHANGXiao-zhong (KeyLaboratory AdvancedMaterialsofMinistryofEducation，DepartmentofMaterialsScienceandEngineering， TsinghuaUniversity，BeijingNationalCenterforElectronMicroscopy，Beijing100084，China) (Received4March2011，accepted11April2011) Abstract：Well-ali ed ZnO nanowire／nanorod mixed arrayswel~ synthesized on ZnO／Sithin film substratesbyacatalyst-freethermalevaporationmehtod．ThenanowiresandnanoYodswithdiametersof10． 20nm and60—160nni，respectively，weremixedtogetherinthearrays．Th eratiobetweenthenumbers of nanowiresnadnanorodswasdecreasinginthedownstrema directionon thesubstrate．Room—temperature photoluminesceneemeasurementsshowedthattheultravioletemissionintensityofthennaowire arrayswas about5timeshigherthanhtatofthennaorodarrays．Continuousilluminationwithincidentlaserservesto enhancetheultravioletemi ssionof thenanowirearrays，andhteemissionintensitydecreasedtohteoriginal vMuewithouthteillumination，whichcouldbeinterpretedbythedesorptionandadsoprtionoftheoxygen spe ciesonthenanowiresurface．