利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 2’ # $$% # ， ， ， LUA 62’ ,U 6 # MGIG3VGW $$% （ ） #$$$@%$Q$$%Q2’ # Q’2$9@$2 R :/SNT NT,T $$$% X45 6 :XYZ 6 NUI 6 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的 面 ! !# 表面形貌和位错的研究! ! 崔影超 谢自力 赵 红 梅 琴 李 弋 刘 斌 宋黎红 张 荣 郑有 （南京大学物理系，微结构国家实验室，江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$’ % $$% ( ) 采用金属有机物化学气相沉积技术在 面蓝宝石衬底上制备了 面 薄膜，用熔融的 在 对样品 ! *+, -./ ($$ 0 分别腐蚀 ， 和 用扫描电镜、原子力显微镜、射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进 #1$ #12 1$ 345 6 7 行分析 研究表明， 下腐蚀 后出现了长平行四边形的条纹状，这是由于无极化的 面 表面极性各 6 ($$ 0 #12 345 *+, 向异性，向与 向上 原子悬挂键密度不同，同时稳定性不同，对 8 离子的吸附能力不同造成的，其中沿 方 # $ , ./ # 向易于腐蚀 同时， 面 腐蚀后出现了六角突起 我们认为这与穿透位错有关，而其形貌则与 薄膜的位错 6 *+, 6 *+, 局部极性有关6 关键词： 面 ，堆垛层错，极性 *+, ： ， ， ， $% 9#)$: 9#)$; ’#9$ )’9$/ ［，］ （ ） 面 9 ) ；（）在 （ ）面蓝宝石衬底上 ##$$ $ *+, ! ##$ 用 ，金属有机物化学气相沉积（ ）和氢化 #1 引 言 K=? K.LM