Cr3+离子激活的YAG外延单晶荧光层.pdf

第21巷第5期 光 学 学 报 vol2I．N。5 型!兰!里 墅!垒堕!垦垒塞型!垦叁 些!!!塑! 文章编号：0253—2239(2001)05—0630—04 Cr3+离子激活的YAG外延单晶荧光层 饶海波成建波黄宗琳李军建方官久 (电子科技大学光电子技术系，成都610054) 摘要：Cr”离子掺杂YAG外延层(Cr卜YAG)的发光呈宽带谱特征，荧光色度坐标为，=06551、v=02949， 在CIEl931色度图上相当于主波长^≈638 nna的红色光．并且具有较高的色饱和度，其发光谱中引人注目之处还 在于荧光主峰的位置均在波长较长的^哪，～-689Tlrfl和709tlral附近，是一种能够实现长波长(^≈71)0nm)红色光 输出的单晶荧光体，ur用作非晶硅液品光阀投影仪的高分辨率写入光源。 美键词：单晶荧光层；外延荧光层；YAG；Cr3‘：YAG；液晶光阀 中图分类号：07343 文献标识码：A 1 引 言 格场中低对称性微拢项小同所带来的影响，对丁在 YAG晶格中处于八面体巾心格位的t价Cr3+离子 在Al：oj晶体的立方晶场作用下，三价Cr3+离 而言，其3d3电子组态谱项能级的晶场分裂状况应 子能够发出红色荧光(即红宝石中著名的R谱 该与处丁A1，0；晶格中的Cr¨离_『-完伞一致，j{是 线)…。而石榴石相单晶(特别是YAG)又是具有立 能级分裂程度会冈两种基质立方场强弱的不同而有 方对称性(属丁=空间群o?)的优良荧光摹质材料，而 所区别。于是，可以类似Al，Q晶格中(’r3+离了能 且，YAG是Y、Al的正=价氧化物晶体，所以三价 Cr3+离子可以直接地掺杂到YAG晶格中而无需任 关于3d3电子组态在八面体立力饧中能级分布计算 何形式的电荷补偿。因此，cr”离子掺杂YAG 的经典结果。C，+离子3d3电子组忿在市方场中谱 (Cr3+：YAG)的荧光特性就很自然地引起了我们的 项能量随着品格场参量D。／B变化的关系曲线如图 注意， I所示[其中D。为立方场参数，屉d轨道立方场分 裂能量△的十分之一，参数B是与自由态Cr3+离了 2 YAG晶格中Cr3。离子能级的晶场 内电子问相互作用能相关的斯莱特(Seater)积分 分裂 项]，图中虚线a对应t二Al：O，晶格中cr”离子谱项 根据外延生长过程中能量极值定律的要求，掺 能级的分布状态，由YAG的品格参数d、。= 杂到YAG晶格中的杂质离子应趋向于替代与其大 1．200 nrn可推知，YA(；晶格中八面体中心格位上 小相接近的本征离子(指Y”或不唰格位上的A1”Cr3+离子到其周围六个氧离子的距离(相当于AI—o 离子)井占据相应的晶格位置，由此町知在YAG品键长)应大于～：qd6格A1一O键长0．189nnl的水 mn)丰要是替代 格中，二价Cr{1离子(