CuO对(Ni13Nb23)0.7Ti0.3O2微波陶瓷低温烧结性能的影响.pdf

第30卷第l期 电 子 元 件 与 材 料 、，01．30No．1 CoMPONENTS J柚．20ll 2011年1月 ELECTRONIC ANDMATERIALS 性能的影响 张岭1，姜胜林1，郭立1，黄浩2，张光祖1 (1．华中科技大学电子系，湖北武汉430074；2．广东风华邦科电子有限公司，广东肇庆526000) 708 滋价电性能：￡『=67．65，Q·厂=3GHz，可=14．3×1一／℃． CuO掺杂；低温烧结 关键词：(NiI乃Nb∞)o．7盹．302； 中图分类号：TM28 文献标识码：A 文章编号：l001．2028(2011)Ol-0001．03． of on low behaViorof EffectsCuothe sintering microwaVeceramic (Nil／3Nb2／3)o．7Tio．302 ZHANG Lin91，JIANGSbengHnl，GUOLil，HUANGHa02，ZHANGGuangzul ofElectronicscienceand TecllIlolo科，Wuh鲫430074， (1．Depa咖lem Tecllllolo酚Huaz}10ngUnivers崎ofscience卸d Elec们nics Fen曲吡B姐ko Co．，Ltd’Zhaoqing526000，G啪gdongProVince，China) China；2．Gu锄gdong microwavecemmicswere theconvemionals01．dsta_tereaction Abstract：The(Nil，3Nb∽)o．7Tio．302 prepa代dby process． Thelow microwavediclectric of ceramics singccringbehavior，micmstmcture，pha∞composition栅dpropcniesprcp眦d showthat thc werestudied．neresultS as眦lI啪oumofCu0addition ceramicsdec邮es to(Nil，3N％)o．7Tb02 sintering Cu0 temperatufe optimizedby doping．Especially，the1．O％(m硒s眦n)CuO·doped efR圮tively．Also，the可is cer柚icsaresirrteredat950℃withmicrowavedielec仃ic 708 (Nil，3Nb2，3)o．7Tio．302 good propertiesof岛=67．65，Q·／=3 GHzandf，=14．3×104，℃． Keywords：(Nil，3Nb2，3)o．7％．302；Cu0doping；lowsintering 随着移动通信