InP纳米针和纳米管的合成及机制探讨.pdf

38 卷 2 期 燕山大学学报 Vol. 38 No. 2 20 14 3 Journal of Yanshan University Mar. 2014 年 月 文章编号：1007-791X (2014) 02-0118-04 InP 纳米针和纳米管的合成及机制探讨 1,2 1 1 1 1, * 于彦龙 ，赵奕淞 ，高丽华 ，候 莉 ，高发明 (1. 066004 2. 燕山大学 河北省应用化学重点实验室，河北 秦皇岛 ； 东北石油大学秦皇岛分校 石油与化学工 程系，河北 秦皇岛 066004) In InP In 摘 要：采用溶剂热法以金属 和白磷为原料合成出了 纳米针；采用溶剂热法以金属 和红磷为原料，以 (CTAB) InP X (XRD) 十六烷基三甲基溴化铵 为表面活性剂合成出了 纳米管。然后，分别采用 射线衍射仪 、透 射电子显微镜 (TEM) 、扫描电子显微镜 (SEM) 等技术对 InP 纳米针和纳米管的形貌及晶体结构进行了表征。 InP InP 最后，探讨了 纳米针和纳米管的形成机制，本工作将为 半导体纳米材料在发光二极管、光纤通信等领 域的应用提供一定帮助。 InP 关键词： ；溶剂热合成法；纳米针；纳米管 中图分类号：O611 文献标志码：A DOI：10.3969/j .issn.1007-791X .2014.02.005 InP 功合成出了 纳米球和纳米线，并研究了其光学 0 引言 InP 性能。但是，目前还没有 于溶剂热法合成 纳 功能纳米材料是纳米材料学中最富有活力的 米针和纳米管的相 报道。 领域之一，它对信息、生物、能源、环境、航天等 纳米材料的形貌和晶体结构对其性能具有重 InP 高科技领域将产生深远地影响。 是一种重要的 要的影响，实现对纳米材料形貌和晶体结构的合成 III- Ⅴ族化合物半导体材料，具有闪锌矿型结构，常 [13- 14] 控制是纳米材料能够得到广泛应用的前提 。本 温下禁带宽度为1.35 eV，属于直接跃迁型能带结 文旨在探讨一种简便方法，来实现对一维半导体纳 InP ( = 14 nm) ，因而显 构。 的激子波尔半径较大 B