PcNi-VO2复合膜相变光谱特性研究.pdfVIP

第27卷，第10期 Ⅷ·27’瓷：般1裟；1935Cktober。2007 2 Spectroscopy柚dSpectralA1lalysis OO7年lO月 《黛。盖，盏豢。。壹盘，，錾 PcNi-Vo：复合膜相变光谱特性研究 袁宏韬“2，冯克成3，张先徽3 1．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春130033 2．中国科学院研究生院．北京100039 3．长春理工大学理学院光学物理系，吉林长春130022 摘要采用射频磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上沉积了高品质的VQ薄膜．并在其上旋涂了酞菁镍 的热色性和相变温度都没有改变。预期PcNi／V哇膜比单一PcNj膜和VQ膜的光限幅能力会更强。 关键词二氧化钒薄膜}酞菁；相变f光学性质 文献标识码：A 文章编号：100㈣593(2007)10-1933．03 中国分类号：0436；TQl35 较大的非共振三阶极化率、内在的快速响应和良好的化学和 引言 热稳定性，也在光限幅方面显示出很好的应用前景口”。据资 孝斗查询，目前还没有在二氧化钒薄膜上加镀金属酞菁薄膜制 热色物质能依据温度可逆改变它们的光学性质，二氧化 备金属酞菁／二氧化钒复合膜，并对其相变和光限幅特性进 钒(vQ)就是突出的热色物之一。V嘎晶体在临界温度(68行测试和研究的报道。 ℃)经历由半导体到导体的相变，会使其晶形从单斜结构转 本文实验中，用射频磁控溅射的方法在(o001)取向的 变为四方结构，同时伴随着很大的电阻变化和光学性质变化 fAbo蓝宝石衬底上沉积了单晶vo薄膜，并在此基础上 (从红外透射到红外反射)。因此VQ是制备红外尤其是中旋涂[c8 红外波段激光限幅器的优良材料口，”，同时在智能玻璃L“， 构，观察了相变现象．并进一步研究了相变过程中PcNi／ 温度传感器“]，光学开关嗍，亚毫米波辐射的调制器和起偏 vQ复合膜光学性质的改变。 器嗍，光学数据存储介质Ⅲ，可变反射率镜口1等方面也得到 广泛的应用。 1实验 由于复杂的、L-O结构系统，很难制备出单相的VQ 薄膜[“，在大多数沉积条件下通常会生成多晶膜。多晶膜会 采用射频磁控溅射仪在蓝宝石衬底上沉积、氇薄膜。 降低v凸相变时电学和光学特性改变的锐度，也会在升温 沉积条件为，本底真空，1．3×10-3Pa；溅射时总气压， 和降温过程中得到不理想的热滞回线。相反，单晶VQ薄膜 1toPa；靶村底间距，60rnm；射频功率，120w。衬底温度 就表现出很敏锐的电学和光学性质改变且热滞回线窄。因 加到580℃，氧氩气压比为1“。所有样品的沉积时间均为 此．制备出单晶VQ薄膜对获得良好的相变和光限幅特性 60面n，沉积结束后，样品在真空中降温至室温。PcNi薄膜 尤为重要。 ． 采用旋涂法制备。先将PcNi溶在甲苯溶液中，然后把此溶 在结晶树底上(如蓝宝石)沉积的VQ薄膜，相变前后液滴在已经沉积丁vq薄膜的蓝宝石衬底上，控制合适的 vQ薄膜的电阻会改变4～5个数量级，而在无定型衬底上转速和时间，在匀胶机上完成旋涂。待甲荦自然挥发后完成 (如玻璃)，只会改变2～3个数量级口田。而且，蓝宝石对中PcNi／VQ复合膜制备， 红外渡段光有良好的透射性，便于观察V＆薄膜在中红外 常规的x射线衍射测量在带有单色c小‰射线的RINT FTs 波段相变前后的光谱透射特性的变化。