Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化.pdfVIP

第３１卷　第４期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３１ Ｎｏ４ ２０１０年８月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｕｇ．，２０１０ 文章编号：１０００７０３２（２０１０）０４０５３１０７ Ｓｉ衬底 ＧａＮ基 ＬＥＤ外延薄膜转移至金属基板的应力变化  熊贻婧，张　萌 ，熊传兵，肖宗湖，王光绪，汪延明，江风益 （南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心，江西 南昌　３３００４７） 摘要：采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ＧａＮＭＱＷＬＥＤ薄膜转移至不同结 构的金属基板，通过高分辨Ｘ射线衍射（ＨＲＸＲＤ）和光致发光（ＰＬ）研究了转移的ＧａＮ薄膜应力变化。研究 发现：（１）转移至铜基板、铬基板、铜／镍／铜叠层基板等三种基板的ＧａＮ薄膜张应力均减小，其中转移至铬基板 的ＧａＮ薄膜张应力最小。（２）随着铬基板中铬主体层厚度的增加，转移后的ＧａＮ薄膜应力不发生明显变化。 关　键　词：金属基板；Ｓｉ衬底；ＧａＮ；薄膜；应力 中图分类号：ＴＮ３０４．０５５　　　ＰＡＣＳ：７８．６０．Ｆｉ　　　ＰＡＣＣ：７８６０Ｆ　　　文献标识码：Ａ ＧａＮ薄膜张应力得不到有效释放，则在器件加工 １　引　　言 过程中会导致ＧａＮ薄膜开裂，器件失效甚至无法 ＧａＮＭＱＷＬＥＤ已经广泛地应用于显示器件 获得实用化器件。因而，在ＧａＮ薄膜从外延衬底 及照明光源，成为产业界和研究领域的热点之 转移到新基板时，使其张应力释放成为重要的研 一［１～４］。目前商品化的ＧａＮＬＥＤ器件其外延衬 究课题。 ［５］ 底有三种：蓝宝石、碳化硅和硅衬底 。蓝宝石衬 用ｗａｆｅｒｂｏｎｄｉｎｇ和湿法腐蚀技术相结合将硅 底上外延的ＧａＮ具有同侧结构和垂直结构两种 衬底上外延的ＧａＮＬＥＤ膜转移到新的支撑硅基 ［６，７］ ［１３，１４］ 器件结构 ；碳化硅衬底上外延的ＧａＮ有在外 板上应力状态的变化已有报道 。电镀金属 延衬底上直接加工的垂直结构器件和将外延膜转 层作为支撑基板由于可以避开ｗａｆｅｒｂｏｎｄｉｎｇ所必 移到新的支撑基板上获得的垂直结构器件两 须的压力和温度冲击，因而将蓝宝石衬底和碳化 种［８］。对于硅衬底上外延的ＧａＮ而言，由于硅衬 硅衬底上的ＧａＮ薄膜转移到电镀基板上得到了 底对蓝绿波段的可见光存在强烈的吸收作用，因 广泛的研究。然而，将硅衬底上外延的ＧａＮ转移 而将硅衬底上外延的ＧａＮ直接做成同侧结构或 到电镀基板上的研究还少有报道，尤其是关于硅 垂直结构的器件则会由于硅衬底的吸收作用而使 衬底ＧａＮ薄膜转移到不同电镀基板时其应力变 发光器件的外量子效率大大降低［９，１０］，因而将硅 化的研究，还未见报道。 衬底上外延的ＧａＮＭＱＷＬＥＤ薄膜转移到新的支 本文采用电镀金属基板及湿法腐蚀 Ｓｉ衬底 撑基板上，制备垂直结构的发光器件是硅衬底 的方法将ＧａＮ薄膜从 Ｓｉ衬底转移至不同结构的 ＧａＮ发光器件必须采取的措施。 金属基板，并研究转移至不同结构金属基板的 与蓝宝石和碳化硅衬底相比，硅衬底具有工 ＧａＮ薄膜的应力变化。 艺成熟、低成本、大面积、高质量等优点，然而由于