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2015-09-30 发布于湖北
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氧化锡纳米晶的合成与生长.pdf

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氧化锡纳米晶的合成与生长.pdf

第39卷第4期人工晶体学报 v01．39N。．4 呈Q!Q笙!旦 !Q旦旦型垒曼Q坚量!盟!塑蔓旦鱼竺曼!墨!垒堡垒坚鲤!垒三Q!Q 氧化锡纳米晶的合成与生长徐加荣1，朱克荣1’2，戚梦瑶1，庄永龙2 (1．安徽大学物理与材料科学学院，合肥230039；2．安徽大学现代实验技术中心，合肥230039) 摘要：采用水热法制备了氧化锡纳米晶，通过x射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)对氧化锡纳米晶样品的晶体结构、晶粒形貌进行了表征，并研究了氧化锡纳米晶生长和位错的产生机制。结果表明：在退火温度低于 500℃时，晶粒生长依靠着周围的非晶成分而长大，纳米晶内部无晶格缺陷；退火温度高于500℃时，晶粒通过相互粘结的方式而长大。晶粒之间的不完全取向粘结导致了缺陷与位错的产生。关键词：氧化锡纳米晶；位错；水热法中图分类号：TB34 文献标识码：A andGrowthof Synthesis Sn02Nanocrystal XU Jia—ron91，ZHUKe—ron91，2，QIMeng—ya01，ZHUANGYong．／on92 of andMaterial (1．SchoolPhysics Science，AnhuiUniversity，Hdei230039，China； 2．Modern ExperimentTechnologyCenter，AnhuiUniversity，Hefei230039，China) 15 5 (ReceivedJanuary2010。acceptedMay2010) were methodandthestructures Abstract：Thenanocrystals byhydrothermal Sn02 successfullysynthesized and of werecharacterized nanoerystal diffraction(XRD)and morphologiesSn02 byX-ray high-resolution transmisslonelectron anddislocationof were microscopy(HRTEM)．Thegrowth Sn02nanocrystal discussed．Theresultsshowthatthe ofthe on andthe growth nanocrystalsdependsamorphouscomposition ayedefect-freebelow 500 of nanocrystals temperatureoC．However，thenanocrystals annealing growth on witheachoth