GaAs太阳电池帽层腐蚀研究——GaAs／AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀.pdfVIP

q92。( I】。(}一l 维普资讯 第 20卷 第 2期 太 阳 能 学 报 Vo1．20，No．2 l999年 4月 ACTA ENERG IAE SOIAR1S SIN1CA ^口r．1999 ／I’∥＼ ， ≮＼、＼ ＼ GAs太阳电池帽 腐蚀研究 GaAs／AIGaAs薄膜体系的选择性腐蚀 公延宁汪乐莫金玑夏冠群 1呷 1]卜 公延宁 汪 乐 莫金玑 夏冠群 l 。J‘ J - 7 (中国科学院上海冶金研究所 上海 Z00050) 一 f ， 文 摘t由矿一GaAs帽层和p—AI，Ga1--aAs(x=0·8—0．0)窗口层构成的异质薄膜体系是 GaAs太 阳电池器件 中l舯常规结构 。对该异质结构的只腐蚀 GaAs而不腐蚀 AIGaAs的选择性腐蚀工艺是 GaAs太阳电池蒯备过程中的一道关键工序。针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后 露出的 AIGaAs 表面呈现彩色的问题 ，从改进腐蚀藏配方角度 ．围绕通常采用的氨水一双氧水 (NHOH-HO。)腐蚀 藏体系．对该问题作 了探^细致的专门研究，并与柠檬酸一双 氧水 (c O-HO )和柠檬酸一柠檬酸 钾一双氧水 (cH·—O-KceHO HzOz)腐蚀藏体系作对 比，最终得到 了较满意的氨水一双氧水一磷酸 (NFLOH—H…O HaPO．)新腐蚀藏体系。这种腐蚀液体系不仅可在较宽的溶液浓度范国内实现对高 AI组分GaAs／AIGaAs异质结构的选择性腐蚀．而且也不会对露出的AIGaAs外观产生明显影响。 与硅比较，GaAs为直接跃迁半导体，禁带宽度 1．424eV，与太阳光谱 匹配 良好 ，因而具有 更高的理论光 电转换效率 }其吸收系数很大 ，适合制作薄膜电池；此外 ，它还有耐高温、抗辐照、 寿命长等优点，很语舍太空应用。GaAs太阳电池已引起人们很大关注，被认为是可用作太空 主电源的新一代高性能太阳电池 。 为获得高效率 GaAs太 阳电池，常采用多层薄膜异质结构，就单结而言，较常见的为有帽 层的PPNN型 ，如图1所示。在该 电池自q爱光一侧有一宽带隙的P—AIGaAs层，它与内侧窄带 隙的P—GaAs层结合 ，将 自身的透射光谱与p-GaAs层的吸收光谱相重的区域围成一较宽的光 谱范围，从而对照射到太阳电池上的光起到 “窗 口”作用。由于高Al组分的AIGaAs／GaAs异 质结构的窗口光谱与太 阳光谱较匹配 (太阳光在0．4—0．71tm波长之间辐照度最大 “]，而能量 在窗口范围 臣， 。一E。．n 内的光予对应的波长为 0．5一o．9m)，且还使导带呈较大的不连 续性，能对光生少子起到反射器的作用，因而使 电池对该光谱范围内的光有很灵敏的光 电特 性，有效增强了它对太阳能的利用。通常将AlGa As居中的Al含量 z定为 0．8一o．9，厚度 一 般在0．1m以下，通常为 0．04m左右，对P—AIGaAs窗 口层的空穴浓度虽未作特 4要求． 但通常崔 lo~％m。数量级 。p+_GaAs，冒层的空穴浓度通常高达 i0”cm 数量级 ，厚度一般在 0．21zm左右。’帽层是为了避免固高 Al组分 的AIGaAs层直接与大气接触而引起的氧沾污和 奉文 1998-0~一-90收到 维普资讯 太 阳 能 学 报 2O卷 A1zOa高阻膜的形成而设置的，此外，它还可实现与正面 电极 问 良好 的欧姆接触 ，并能防止 电 极金属扩散到电池深处。真正作为光敏面的是帽层下的A1GaAs层 ，它可采用选择性化学腐蚀