溶胶-凝胶法制备Y掺杂ZnO薄膜及其光电性能研究.pdf

·24· 材料导报B：研究篇 溶胶一凝胶法制备Y掺杂ZnO薄膜及其光电性能研究。 阳生红，，张日理1～，王旭升1，汤 健1 (1 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室，广州510275； 2山东大学晶体材料国家重点实验室，济南250100) 摘要 采用溶胶一凝胶法在玻璃衬底上制备了不同掺Y浓度的ZnO透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)表明， 所制备的Y掺杂Zn()透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜，且具有C轴择优取向。随着Y掺杂浓度的升高， 的紫外吸收边，通过改变Y的掺入浓度，可以使吸收边向短波方向移动，从而使薄膜的禁带宽度可调。制备的Y掺 杂Zn()薄膜电阻率最小值为3．68×10212·crn。 关键词 Y掺杂ZnO透明导电薄膜溶胶一凝胶法 中图分类号：0484．4；TN304 文献标识码：A ofY ZnOFilms Methodand of PreparationDoped bySol—gel Investigation Their OptoelectricalProperties YANG Yuelil”，WANG Jianl Shenghon91，ZHANGXushen91，TANG (1State of Materialsand of Yat—sen KeyLaboratoryOptoeleetronic Technologies。SchoolPhysicsEngineering，Sun of 250100) 510275；2State CrystalMaterial。ShandongUniversity，Jinan University，GuangzhouKeyLaboratory AbstractTheY ZnO thinfilmswere on conducting glassbysol-gelmethod．X-ray dopedtransparent prepared structurewithaC-axis orien— diffraction(XRD)showedthatY ZnOthinfilrrushad wurtzite preferred doped hexagonal tOthelow valuewiththeincreaseofY the tation．The of shifted doping．From peakpositionthe(002)plane angle ofY ZnOfilminthevisible be— transmittance transmittancedoped region(400～800nm)was spectrum．theaverage the shiftedtOthes