溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜.pdf

高技术通讯 2003.3 溶胶 凝胶法制备!#基稀释磁性半导体薄膜! 修向前! 张 荣 徐晓峰 俞慧强 陈丽星 施 毅 郑有火斗 （南京大学物理系 南京210093） 摘 要 用溶胶 凝胶法制备了具有良好光学性质和 轴取向的 薄膜。 C ZHOIFe ZHOIFe 薄膜具有尖锐的带边发光，禁带宽度约为3.3eV，半高宽13Hm。磁性测量表明，ZHOI Fe薄膜在室温下具有铁磁性，饱和磁化强度约为 ~3 量级，矫顽力为 奥斯特 10 emu 30 （ ）。 Oe 关键词：溶胶 凝胶法，氧化锌，稀磁半导体 ［］ 7 外延和反应溅射的方法合成得到 。氧化锌作为直 0 引 言 接带隙宽带隙半导体材料，具有很高的激子束缚能 （ ），能够实现室温高紫外发光。虽然 可 60me ZHO 稀释磁性半导体 （ 通过掺杂制备 基稀释磁性半导体，并且由于 dilutedma HeticsemicoHduc- g ZHO ［］ ， ）材料是在非磁性半导体 （如 族、 5 tor DMS IV-VI 其禁带较宽而可能具有较高的居里温度 ，但是 II-VI族或 III-V族）中掺杂磁性离子，利用载流 ZHO基稀释磁性半导体材料尚处于理论研究阶段， 子控制技术产生磁性的新型功能材料。由于磁性离 很少有实验报道。目前的ZHO单晶或薄膜生长技 子局域磁矩与能带电子自旋存在交换作用，因此通 术等，在材料质量，P型掺杂等方面，还有众多的 过改变磁性杂质浓度和外磁场强度可以有效控制它 技术难点需要去克服与解决。（溶胶 凝胶- Sol-Gel） 们的光电、磁光、光吸收和输运特性。它同时应用 作为一种材料制备方法可以方便地制备大面积稀磁 了电子电荷和电子自旋性质，因而DMS器件可以 半导体薄膜，而且均匀性好、纯度高，便于控制掺 直接与现有的半导体器件集成，在光、电、磁功能 杂。本文中，我们利用溶胶 凝胶法制备了 掺 ~ Fe 集成等新型器件方面具有重要的应用。 杂的ZHO薄膜并研究了其结构性质和光学、电学、 在DMS材料中，一般用 MH2+ 作为磁性离子 磁学等性质，成功地获得了