A12.静电防护（ESD)设计规范.doc

静电防护（ESD)设计 1. 静电产生的原因及危害 ESD是静电放电的简称。基本上，非导电体由于摩擦，加热或其他带静电接触而产生静电荷，当静电荷累积至一定的电场梯度时，便会发生弧光，或产生吸力。此种因非导电体静电累积而以电弧释出能量的现象便称为ESD。静电放电的能量，将破坏高密度的元件，使电子产品不知情的失去功能。 2. 静电防护的方法 (1) 电子零件在运输，储藏及包装时要依照防静电的办法管理； (2)产品组立时，生产线员工及车间环境要有静电防护措施，如穿静电衣服，戴静电腕带，带静电指套并接地等； (3) 产品的结构设计应考虑防静电的措施，如加铝箔纸等。 3、ESD产生的机理要防止ESD，首先必须知道ESD是什么以及ESD进入电子设备的过程。一个充电的导体接近另一个导体时，就有可能发生ESD。首先，两个导体之间会建立一个很强的电场，产生由电场引起的击穿。两个导体之间的电压超过它们之间空气和绝缘介质的击穿电压时，就会产生电弧。在0.7ns到10ns的时间里，电弧电流会达到几十安培，有时甚至会超过100安培。电弧将一直维持直到两个导体接触短路或者电流低到不能维持电弧为止。 ESD的产生取决于物体的起始电压、电阻、电感和寄生电容：可能产生电弧的实例有人体、带电器件和机器。 可能产生尖峰电弧的实例有手或金属物体。 可能产生同极性或者极性变化的多个电弧的实例有家具。 ESD可以通过五种耦合途径进入电子设备：初始的电场能容性耦合到表面积较大的网络上，并在离ESD电弧100mm处产生高达4000V/m的高压。 电弧注入的电荷/电流可以产生以下的损坏和故障： a. 穿透元器件内部薄的绝缘层，损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极(常见)。b. CMOS器件中的触发器锁死(常见)。c. 短路反偏的PN结(常见)。d. 短路正向偏置的PN结(少见)。e. 熔化有源器件内部的焊接线或铝线(少见)。电流会导致导体上产生电压脉冲(V=L×dI/dt)，这些导体可能是电源、地或信号线，这些电压脉冲将进入与这些网络相连的每一个元器件(常见)。 电弧会产生一个频率范围在1MHz到500MHz的强磁场，并感性耦合到临近的每一个布线环路，在离ESD电弧100mm远的地方产生高达15A/m的电流。 电弧辐射的电磁场会耦合到长的信号线上，这些信号线起到接收天线的作用(少见)。 ESD会通过各种各样的耦合途径找到设备的薄弱点。ESD频率范围宽，不仅仅是一些离散的频点，它甚至可以进入窄带电路中。为了防止ESD干扰和损毁，必须隔离这些路径或者加强设备的抗ESD能力。表1描述了对可能出现的ESD的防范措施以及发挥作用的场合。防患于未然塑料机箱、空气空间和绝缘体可以屏蔽射向电子设备的ESD电弧。除利用距离保护以外，还要建立一个击穿电压为20kV的抗ESD环境。 A1. 确保电子设备与下列各项之间的路径长度超过20mm。 包括接缝、通风口和安装孔在内任何用户能够接触到的点。在电压一定的情况下，电弧通过介质的表面比通过空气传播得更远。 任何用户可以接触到的未接地金属，如紧固件、开关、操纵杆和指示器。 A2. 将电子设备装在机箱凹槽或槽口处来增加接缝处的路径长度。 A3.在机箱内用聚脂薄膜带来覆盖接缝以及安装孔，这样延伸了接缝/过孔的边缘，增加了路径长度。 A4.用金属帽或者屏蔽塑料防尘盖罩住未使用或者很少使用的连接器。A5.使用带塑料轴的开关和操纵杆，或将塑料手柄/套子放在上面来增加路径长度。避免使用带金属固定螺丝的手柄。A6.将LED和其它指示器装在设备内孔里，并用带子或者盖子将它们盖起来，从而延伸孔的边沿或者使用导管来增加路径长度。A7.延伸薄膜键盘边界使之超出金属线12mm，或者用塑料企口来增加路径长度。 A8. 将散热器靠近机箱接缝，通风口或者安装孔的金属部件上的边和拐角要做成圆弧形状。 A9. 塑料机箱中，靠近电子设备或者不接地的金属紧固件不能突出在机箱中。 A10. 如果产品不能通过桌面/地面或者水平耦合面的间接ESD测试，可以安装一个高支撑脚使之远离桌面或地面。 A11.在触摸橡胶键盘上，确保布线紧凑并且延伸橡胶片以增加路径长度。 A12.在薄膜键盘电路层周围涂上粘合剂或密封剂。 A13.在机箱箱体接合处，要使用耐高压硅树脂或者垫圈实现密闭、防ESD、防水和防尘。 机箱和屏蔽利用金属机箱和屏蔽罩可以阻止ESD电弧以及相应的电磁场，并且保护设备免受间接ESD的影响，目的是将全部ESD阻隔在机箱以外。对于静电敏感的电子设备来说，不接地机箱至少应该具有20kV的击穿电压(规则A1到A9)；而对接地机箱，电子设备至少要具备1,500V击穿电压以防止二级电弧，并且要求路径长度大于等于2.2mm。 以下措施能使ESD的屏蔽更有效。 B1. 如果需要