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IBIS 模型介绍及如何产生 IBIS 模型 现状： 节省系统设计的时间和花费是电子设计中一项至关重要的因素。在设计定型 前，利用器件模型执行设计仿真将是系统设计师行之有效的工具。特别是在高速 系统设计中，SI 仿真被用于分析电路在不同传输线条件下的行为，从而及早预 防和检测诸如串扰、过冲、阻抗失调和其他现象。然而，数字 IC 有效的模型非 常缺乏。当用户要求器件生产商提供相应的 SPICE 模型时，由于 SPICE 模型参 t 数包含版权和电路设计信息，因此，他们通常都会拒绝提供。只有当 IBIS （输 入/输出缓冲信息规范）模型出现，才很好的解决这个问题。 e 何为 IBIS ？ IBIS 是一种可以利用 V/I 和 V/T 数据（不包含任何版权信息）描述一个器件 的数字输入和输出端口电气特征的行为级模型。IBIS 模型不同于传统系统设计 n 师使用的原理图符号的常规理想化模型。一个 IBIS 模型是由输入和输出引脚上 的电流和电压值，也可以是输出引脚上电平上升或下降转换过程中相关电压和时 . 间组成的列表数据。该表数据反映了器件行为。IBIS 模型通常被用于系统板的 SI 分析。潜在的问题可以通过仿真分析得出由于传输线的阻抗失调而引发的能 h 量反射大小；串扰、地或电源反弹、过冲及线端分析等。IBIS 是一种精确的模 型，因此可以用在非线性的 I/O 特征、ESD 特征和封装寄生效应的描述。在一些 方面已经超越了传统模型的性能，如 SPICE。例如，在分析速度上要至少比 SPICE c 模型仿真快 25 倍，同时 IBIS 还不像 SPICE 模型那样存在版权问题。 IBIS 的发展历史： e IBIS 最先由 Intel 公司在 1990 年提出。在 1993 年发布了 IBIS 1.0 版本并且 设立了 IBIS 开放性论坛。IBIS 开放性论坛由 EDA 厂商、计算机制造商、半导体 T 厂商、高校和终端用户组成，负责更新、修改和校对标准和组织研讨。并在 1995 年与 EIA （电子工业联盟）建立合作关系。最新的IBIS 版本为 4.0 ，在2002 年 7 月发布，但是目前仍然还不是 ANSI/EIA 标准。最早的 IBIS 版本可以描述 CMOS B 电路和TTL I/O 缓冲器，其后每个版本均添加新的功能，并且实现完全向下兼容。 如何创建一个 IBIS 模型？ C 通常可以利用采集仿真数据和仪器测量获取建立 IBIS 模型所需的数据，另 外，也可以将 SPICE 模型直接翻译成 IBIS 模型（可以从 IBIS 官方网站 P /eig/ibis/ibis.htm 免费获得）。模型可以从三个不同角度条件下创建： 典型、最小化和最大化。 - 典型：在常温、常压和常规处理参数条件下； . - 最小化：在高温、最低电压和小参数条件下； - 最大化：在低温、最高电压和大参数条件下； w 在这些条件下创建出典型的、慢速的和快速的模型。快速模型可以在快速时间变 换和最小封装特性下通过最大的电流；而慢速模型则在相反条件下通过最小的电 w 流。一