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ITO薄膜簡介與產品介紹 ITO薄膜簡介與產品介紹 大綱 透明導電薄膜的介紹與應用 ITO薄膜的特性及製程介紹 ITO薄膜的結晶性 V.S. 製程參數 公司的簡介與產品介紹 透明導電薄膜的介紹 透明導電膜(Transparent conducting oxides films, TCOs)： 在可見光的範圍內具有高穿透度：T85%。 低電阻率：＜10-3 W-cm 。 種類： 金屬薄膜 金屬氧化物半導體薄膜 透明導電薄膜的應用範圍 導電特性 ITO薄膜的導電性 屬於N型半導體，導電機制有兩種，一種雜質摻雜機制，另一種則為氧空位機制。 由於 Sn4+ 取代 In3+ ，提供額外的電子。 氧空缺 提供兩個額外的電子。 (O2→2Vo¨+2e-) 透光特性 ITO薄膜的可見光可穿透 能隙寬度約為3.5-4.3 eV，可見光波長範圍對應的能量為1.7-3.1 eV，不足以讓電子在能帶間躍遷而產生光的吸收，故在可見光的範圍內有很高的穿透度。 ITO薄膜的製程介紹 磁控濺鍍法(Magnetron sputtering) 為目前在諸多製程中和積體電路製程技術相容性較高的技術，具有可連續生產高品質薄膜的特性，低製程溫度且適用在大面積的各種基板上，因此磁控濺鍍法是目前使用最普遍用來沉積ITO薄膜的技術。 脈衝雷射鍍法(Pulsed laser deposition) 固定脈