考虑结深的超短沟道MOSFET二维半解析模型.pdf

摘要 摘要 随着半导体制备工艺的高速发展，半导体器件的栅长不断减小，Ic芯片所 含的器件数目也在呈几何数字增长。目前器件的最小栅长已经达到10到20rim， 短沟效应严重影响了器件特性，这给器件和电路的仿真模拟也带来了一系列新的 挑战。同时，对集成电路设计人员而言，高速、精确的模型对提高集成电路与系 统的性能，缩短研制周期都有着重要的价值。因此，对超短沟道的器件需要重新 进行建模以适应半导体工艺的发展。 目前工程人员使用的半导体模型可以分为两种，一是进行电路级别仿真的解 析模型，特征是有简约的电路特性解析表达式、计算量小、精确度不高，含有大 量适配参数，例如：SPICE模型。另～类是进行器件仿真的数值模型，例如： MEDICI、ATLAS TCAD等，特征是精度高、计算量大、不适用于电路级别的仿 真。为了兼顾解析模型和数值模型的优点，本文采用一种新的半解析法进行建模， 分别得到了深结MOSFET和浅结MOSFET的二维模型。文中采用的半解析方法 来源于广义多级理论，但是在待定系数的解法上有所区别，具体的方法是：首先 确定平面MOS器件的坐标系，列出氧化层和空间电荷区的定解问题——包括泊松 方程和边界条件，然后求解每个区域的定解问题，得到含待定系数的级数和形式 的二维电势方程，接着按照区域衔接处的本构关系方程，对方程两端做特征函数 展开，最后得到待定系数的线性矩阵。 目前的模型为了简化边界条件，都是将器件作为深结处理，即不考虑结深的 影响，可是实际情况中结深对电势特性是有着影响的，而且随着器件尺寸的减小， 结深的影响越来越大，深结模型已经不再适用。因此本文首先给出了深结情况下 的电势半解析模型，在此基础上提出了考虑结深的MOSFET二维定解问题，及 其对应的边界条件，并首次用半解析法求解得到了电势的二维模型。从建模的结 果可以看出，半解析法既有明确的解析表达式，又可以根据精度要求确定待定系 数个数，是一种新的建模方法。 由于电势模型中包含耗尽层厚度，而耗尽层厚度又是由电势计算得到，对于 超短沟道器件，必须要有精确的耗尽层厚度值才能得到精确的电势模型，如果仍 考虑结深的超短沟道MOSFET二维半解析模型 然使用以往的耗尽层厚度模型，会导致模型精确度下降。本文给出了耗尽层厚度 和电势的自洽解法，根据耗尽层底部的边界条件，进行自洽迭代计算，最后得到 结果。通过与MEDICI数值计算软件对比发现，本文给出的自洽解法收敛速度快， 计算量明显小于数值模型的计算量。论文中还讨论了基于二维电势的短沟道亚阈 值电流模型。文章最后对电势、耗尽层厚度、亚阈值电流、以及阈值电压进行了 仿真验证，从对比结果可以看出，该模型的优点是充分考虑了结深对器件特性的 影响，精度与数值解的精度相同，不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时 的方程离散化，可以直接用在电路模拟程序中。 关键词：半解析法，电势，结深，MOSFET Abstt‘act Abstract Withthe ofsemiconductor development prepal’ationtechnology,thegate length ofMOSFETsdecreases andthenumberofdevicesona rapidly chip increases ofMOSFETshasscaleddownto10 exponentially．Presently，thegatelength -20 risetovariousundesirableshort-channel nm，these aggressivescalinggives willaffectthedevicechara