IGBT失效机理与特征分析.pdf

第48卷第3期 电力电子技术 V01．48．No．3 2014年3月 PowerElectronics March2014 IGBT失效机理与特征分析 马 晋1，王富珍1，王彩琳2 (1．西安永电电气有限责任公司，陕西西安710016；2．西安理工大学，陕西西安710048) 摘要：简要介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构特点与寄生效应，分析了IGBT的过应力失效机理，并从 失效现象与失效条件入手，描述了IGBT因过压、过流、过热及过机械应力等失效的典型特征，指出了失效机理 与特征之间的对应关系．以便于使用者在实际应用中尽快找到IGBT的失效原因并合理地使用IGBT器件。 关键词：绝缘栅双极型晶体管；过应力；失效分析 中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2014)03—0071-03 and ofIGBT ofFailureMechanismFeatures Analysis MA Cai．1in2 Jinl，WANGFu．zhenl，WANG DianElectric (1．Xi’肌Yong Co．，Ltd．，Xi’0t2710016，China) structuralfeaturesand effectsofinsulated introduced Abstract：The transistor(IGBT)isbriefly，and parasitic gatebipolar overstressis onthefailure and thefailuremechanismcaused by analyzed．Based phenomenonsconditions，thetypical mechanical failurefeaturescausedoverelectrical as andover by stresses，suchover．voltage，over—current，over—heat therelationsbetweenthefailuremechanismandfeaturesare resultsare stresses，aredescried，and given．The helpful tofind thefailurereasonsandmorereasonableuseIGBTdevicein quickly practiceapplication． Keywords：insulatedbipolartransistor；overstresses；failureanalysis gate 1 引 言 以及多晶硅栅极电阻尺。和npn晶体管的P基区 横向电阻R由及pnp晶体管的基区电阻尺。(即n一 IGBT是由功率MOSF