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第29卷第4 常熟理工学院学报（自然科学） Vol.29No.4 2015年7月 JournalofChangshuInstituteTechnology（NaturalSciences） Jul.,2015 Ag纳米点阵的等离激元对LED的发光增强研究 高 俊 （常熟理工学院 物理与电子工程学院，江苏 常熟 215500） 摘 要：通过研究LED 的有源层（量子阱）和Ag 纳米点阵的表面等离激元（SPP ）、局域等离激 元（LSP ）的电磁增强效应产生有效的近场耦合（near-field coupling ）作用，分析Ag 纳米点阵对LED 发光增强的影响. 研究表明，Ag 点阵的SPP 、LSP 对LED 量子阱存在发光增强作用，在15%左右的 Ag 点阵覆盖率下可使量子阱发光有约10%的增强. 而在更高的覆盖率下，反而出现发光减弱. 关键词：等离激元；Ag 纳米点阵；量子阱；时间分辨光谱 中图分类号：TN43 文献标识码：A 文章编号：1008-2794 （2015 ）04-0075-04 金属纳米点阵的SPP 、LSP 调控以及近场增强是当前国内外最为热门的研究领域之一. 其中以Ag 纳米 结构作为基底研究SPP 杂化、耦合机制以及表面增强拉曼（SERS ）、表面增强荧光（SEF ）光谱应用备受关注. 在过去的十几年中，人们围绕SERS 、SEF 研究了多种纳米组装结构. 而局域场的杂化以及增强光谱往往需 要结构单元之间尽可能地近邻从而获得足够的近场耦合强度，而当前的微纳加工手段难以达到所需要的精 度. 因此，如何制备具有较小面间距的纳米粒子点阵是进一步研究局域场耦合机制及光谱增强机制所需解 决的问题. 本文在LED 量子阱上利用低能团簇束流沉积的方法制备出粒子面间距和尺寸可独立调控的Ag 纳米粒子团簇，在此基础上研究了纳米粒子薄膜中的局域表面等离激元近场耦合对LED 发光增强的作用. 1 实验 [1] 金属等离激元对光发射会产生重要影响 ，要实现LED 的量子阱能 和金属纳米点阵的等离激元产生有效的耦合，必须使金属纳米点阵和量 子阱尽可能地接近. 实验中采用商业成品InGaN 的LED 和单量子阱裸 晶GaN 的LED ，图1 为InGaN 的LED 结构特征示意图. 因为LED 量子阱 上有较厚的P-GaN 层，会影响Ag 纳米点阵与量子阱的近场耦合，所以利 用考夫曼离子枪对成品LED 进行减薄处理. 通过控制减薄厚度使量子 阱之上的P-GaN 层厚度约为15~20 nm. 为了使Ag 点阵的表面等离激元共振（SPR ）尽可能与蓝光LED 波长 相匹配，我们在减薄后的LED 表面涂覆一层很薄的聚苯乙烯-聚甲基丙 烯酸甲酯（PS-PMMA ）聚合物薄膜（50~60 nm ），并有意识地去掉一部分 图1 InGaN 蓝光LED 构造示意图 区域的PS-PMMA 以作比对. 具体做法是利用200 目的铜网骨架作为掩模，使沉积和掩模遮盖区域分别横跨 PS-PMMA 覆盖区域和无PS-PMMA 覆盖区域. 这样就形成了4 个可对比的区域，即空白LED 区域、直接沉积 收稿日期：2014- 11- 12 通讯联系人：高俊，实验师，研究方向：金属纳米粒子的电磁性能，E-mail: jungao@cslg.cn. 7676 常熟理工学院学报（自然科学） 2015年 Ag 点阵的LED 区域、覆盖PS-PMMA 膜的LED 区域和覆盖PS-PMMA 后再沉 积Ag 点阵的LED 区域. 然后在相应的区域沉积银纳米点阵. 图2 所示是在 单量子阱裸晶GaN LED 表面通过等离子体增强化学气相沉积法（PECVD ） 生长了约15~20 nm 氮化硅介质层然后分区沉