我国MO源发展状况.pdfVIP

维普资讯 9 。 低温 与特 气 1999 No4 我 国 MO 源 发 展 状 况 安 华 _ _ _ _ _ ● ● _ _ 一 (大连光 明化工研 究设计 院 ，太连 】】6031) 摘耍 ：彳r绍 了我 国十几年来 M0 源发展状况 ，其 中包括研制 的 MO源 品种 、提纯方法 、新 3,10 凉 的研制 ．分析检测方法 、源瓶 的制造、产品使用情况 ，以煦存在 的 问题 。 美键词：主县 里；、发-展状况， 恳确~tll,4L它 勃 中圈分类号 ：O627—12d1 文就标识码 ：A 文章编号 ：lo,37—78o4(1999)04一ooo1—06 1 前 言 的 TM1n、TMSb、TM O-a，以及 DEZn等 M () 源 的研制 ，基本上扭 转 了 “无 米之 炊 ”的局 MO 源 即高 纯金 属 有 机 化 合 物 ，是 面 。随着 MOCVD技 术 的发展和对光 电器件 MOCVD 工艺 (金属有机 化合物气相 淀积 ) 的要求 ，5．ON 级 MO源 已不 能满足使用要 外延半 导体化台物的关键 源材料和掺 杂剂 求 经过 “八 五 ”期 间 的努力 ，我 国M ()纯 由 M0CVr)工艺 所 得 的外延 产 品是 制备 激 度 已达到 5．8N～6．ON级水平 ，基本上满足 光器 、探 测器 、太 阳能电池 、超级计算机等 了国内发展的需要 “九五”期 间 以增加 M0 不可缺少的光 电器件 。在军事 、信息通 讯等 源 的 品种 和改善 Mo源 的性 能为主要 目标 领域有极重要的作用 ，是我 国目前急需 的高 下达攻关任务 。经过十几年的努力 ，我 国MO 科 技薪材料 源的制备、分析检测、MO 源瓶的研制等方面 我 国M0CVD 技术从 70年代开 始发展 已全面达到实用化水平 较快 +所需 MO 源依靠进 1：3。这些高纯物 质 不仅价格 昂贵，而且供货不及 时 ，加之政治 2 我 国研制的MO源品种 原 因，时 常 发生 禁运 ，极 大地 影 响 了我 国 M0CVf)技术 的发展 。为此 国家 863高技 术 拽 国研制 的MO 品种将 近 40个 ，应用 发展计划 ，新材 料 领域 专家委 员会 从 “七 户要 求品种还将增加 (详见表 1)。 五”开始就将 MO 源的研制列为功能材料 的 重要专题予 以部 署 。 3 MO 源提纯方法 我 国从 1984年开始进 行 了MO 源 的研 制 ，光 明院首 先完 成了红外探测器所 需二 甲 固态 MO 源通常采用重结 晶或升华方 基镉和 二乙基碲 的研制任务 。随着 863 “七 法进 行提纯 ，液态 MO 潭最常用而简单的提 五”计划 的实施 ，国内已完成了 5．ON级 常用 纯方法则采用精馏 。为获得 高纯度 的MO 源 收稿 日期 ：l999一】I1一l4 维普资讯 2