液晶组分以及V-T曲线漂移与线残像关系研究.pdfVIP

第30卷第4期 V01．30 液 晶与显示 No．4 Chinese of and 2015年8月 JournalLiquidCrystalsDisplays Aug．2015 文章编号：1007—2780(2015)04—0581—09 液晶组分以及弘丁曲线漂移与线残像关系研究 李 锐’，丰景义，温 冈4，乔云霞，徐 凯，崔 青 (石家庄诚志永华显示材料有限公司，河北石家庄050091) 摘要：线残像是液晶显示不良的一种表现，对在Cell中短时间内判断液晶线残像的强弱进行了研究。本文使用了4种介 电各向异性相同的液晶，对这4款混晶所制成的TFT-LCD屏进行了线残像水平测定，系统分析了混晶的组分与线残像 的关系，并使用了一种通过加直流电压测试弘T曲线的漂移来判断液晶残像强弱的方法，对4款混晶做了V-T曲线漂 移实验。组分分析表明，介电各向异性相同的情况下，液晶中一CF：0一类单体和一COO一类单体的使用会导致线残像 的发生。弘T漂移实验结果表明，V1h变化率小于5％时，液晶显示线残像轻微，V“变化率大于lo％时，线残像严重。这 种方法可以在Cell中进行，并且使测试时间明显缩短，这对提高液晶的研发效率具有指导意义。 关 键 词：TFT—LCD；线残像；直流电压；V-T漂移 中图分类号：TNl04．3；TN27文献标识码：A doi：i0．3788／YJYX0581 1／2mixture andV=。jfldriftrelatedtoline composition imagesticking LIRui+，FENG Yun—xia，XUKai，CUI Jing—yi，WENGang，QIAO Qing Materials 050091，China) (ShijiazhuangC^engz矗iyo挖g^“口DisplayCo．，Ltd，Shijiazhuang im— isa defectofTFT—LCD．Theisto thelevelofline j udge Abstract：Imagestickingdisplay problem isrelatedtodielectric of incellina short anisotropyliquid sticking time．Generally，imagesticking age thesamedielectric areusedfor this LCmixtureswhichhave anisotropy image crystal．Inpaper，4 TFT—LCDthe4kindsofLCmixturesareeval— research．Theline levelof sticking using s