ZnO纳米线的热蒸发法制备及受激辐射的研究.pdf

ZnO 纳米线的热蒸发法制备及其受激辐射研究 中文摘要 ZnO 纳米线的热蒸发法制备及其受激辐射研究 中文摘要 ZnO 是一种典型的半导体材料，具有禁带宽度大、激子束缚能高、热稳定性好、 无毒无污染等优点。ZnO 是一种良好的光电转换材料，也是目前已知的唯一具有半导 体和压电体双重特征的材料，因而在微纳电子器件方面具有广阔的发展空间。尤其自 从碳纳米管的发现以后，一维ZnO 纳米材料已经成为人们研究的焦点。其中ZnO 纳 米线在纳米光电子器件和纳米电子元器件领域有着巨大的应用价值。另外，高度相干 的受激放大表面等离激元辐射（spaser ）可视为以等离激元形式存在的―激光‖ ，是目 前纳米光学研究的前沿热点。 本文的研究主要集中于生长大长径比的单晶 ZnO 纳米线，尝试构成半导体纳米 结构/绝缘介质薄膜/金属SIM 三层结构体系，探测实现紫外spaser 的激射条件。本论 文首先采用无金属催化剂的简单热蒸发法在不同衬底（单晶 Si 和石英玻璃）上、不 同生长温度（600~700℃）下制备了ZnO 纳米线。然后采用X 射线衍射谱（XRD ）、 扫描电子显微镜（SEM）