薄膜物理与技术重点概括.docVIP

一、薄膜：采用一定方法，使处于某种状态的一种或几种物质（原材料 基团以物理或化学方式附着于衬底材料表面，在衬底材料表面形成的一层新物质。 制备分类： 二、气体与蒸汽：临界温度——对于每种气体都有一个特定温度，高于此温度，气体无论如何被压缩都不会液化。 利用室温和临界温度来区分气体和蒸汽：临界温度低于室温的气态物质称气体；临界温度高于室温的气态物质称为蒸汽。 饱和蒸汽压：把各种固液体放入密闭的容器中，在任何温度下都会蒸发，蒸发出来的气压称为蒸汽压。在一定温度下，单位时间内蒸发出来的分子数与凝结在器壁和回到蒸发物质的 分子数相等时的蒸汽压称为饱和蒸汽压。 蒸发温度：规定为饱和蒸汽压 1.33Pa时的温度。 压强单位： 1Bar 10^5 pa ,1Atm 101325Pa ,1Torr 133.322Pa 1N/m^2 1pa 真空：指定空间内，低于一个大气压的气体状态。 真空特点：压强低，分子稀薄， 分子的平均自由程长。 真空划分： 平均自由程：每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为“自由程”，其统计平均值称为.. 平均自由程越长，气体分子数密度越小，压强越小。 真空获得（真空泵） 机械泵、罗茨泵（低真空） ；分子泵、扩散泵（高真空）；！看书。 热偶真空计的工作原理 : 灯丝产生的热量Q以如下三种方式向周围散发，即辐射热量Q1， 灯丝与热偶丝的传导热量Q2，气体分子碰撞灯丝带走的热量Q3，热平衡时，Q1，Q2不变，Q3与气体分子数有关。 即：Q Q1 辐射+Q2传导+Q3气体分子带走热量 在0.1～100Pa范围内，气体热导率随气体压力的增加而上升，这时热偶规才能测出真空度。气压过高时，气体热导率不随压力变化而变化。?气压过低时，气体热导率引起的变化Q3比Q太小，不灵敏，也不能测量。 电离真空计： 电离真空规由阴极、阳极和离子收集极三个电极组成。类似于一真空三极管，灯丝发射电子与气体分子碰撞使其电离，气体分子电离的多少与气体分子密度成正比，即与压强成正比，根据离子电流大小测量真空度。离子电流与阴极发射电流、气体种类和气体分子密度有关。 注意：不可在高气压下使用，此时离子电流过大，将烧毁真空计。 ！真空系统：真空室、真空泵、阀门... 真空系统的重要参数：极限真空 抽气速率 真空泵原理；油封机械泵、分子泵、罗茨泵 原理：利用机械力压缩 油扩散泵 油扩散泵 原理：油蒸汽喷射形成压差 溅射离子泵、钛升华泵 原理：溅射形成吸气、升华形成吸气 冷凝泵 ：原理：将气体冷凝成液态/冷凝吸附 真空蒸发镀膜法： 原理：在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到沉底表面，凝结形成固态薄膜。 10-3~10-5Pa 特点：成膜速度快0.1－50um/min，设备比较简单备，操作容易；制得薄膜纯度高；薄膜生长机理较简单。 缺点：薄膜附着力较小，结晶不够完善，工艺重复性不够好。 结构主要有：真空室；蒸发源；基板；基板加热器及测温计。 低真空条件：-- 现象？ 蒸发源：点蒸发源：能从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源。 小平面蒸发源：在θ角方向蒸发的材料质量与cosθ成正比（余弦分布定律） 点源与小平面蒸发源相比，厚度的均匀性要好一些，但淀积速率要低得多；小平面蒸发源的最大厚度可为点蒸发源你的4倍。 蒸发速率： dG/G 2.3B/T-0.5 dT/T Pa dG B/T-0.5 dT/T Torr 电阻蒸发源： 直接蒸发直接蒸发：采用钨采用钨、钼、钽等高熔点金属，做成适当形状的蒸发源，在其内装填上待蒸发材料，让电流通过，通过发热使蒸发材料温度升高从而蒸发。 间接蒸发间接蒸发：待蒸发材料放入待蒸发材料放入Al2O3 耐高温的材料中，再将其放置在钨、钼、钽等高熔点金属做成的舟中，进行间接加热，从而蒸发。 特点：结构简单，价格便宜，制作容易。 关键：选择蒸发源材料及其形状。 缺点：不能蒸发某些难熔金属，也不能制备高纯度薄膜。 对蒸发源材料的要求：（1）熔点高；（2）饱和蒸汽压低；（3）化学性能稳定；（4）具有良好的耐热性；（5）原料丰富，经济耐用。 常见的问题有：高温下，某些蒸发源材料与蒸镀材料会发生反应和扩散，从而 形成化合物和合金，尤其会形成低熔点合金。改进方法：采用导电的陶瓷坩锅——氧化铝、氧化锆、氧化镁、石墨等，一方面隔开蒸发源和待镀材料，避免它们形成合金；另一方面，将热量传给待镀材料。 电子束蒸发源： 工作原理：阴极灯丝发射电子后，受阳极的吸引而被加速，获得动能后轰击处于阳极的蒸发材料上， 使蒸发材料加热气化，实现镀膜。 优缺点：P39 直枪电子束蒸发源 e型枪电子束蒸发源 电子束蒸发源优缺点： 三种膜厚： 四、溅射镀膜：