高亮度发光二极管外量子效率的计算.pdfVIP

维普资讯 第 l9 卷 第 1期 量 子 电 子 学 报 V。Jl9 No．1 2002年 2月 CHINESEJOURNALOFQUANTUM ELECTRONICS Feb．．2002 文章编号：1007-5461(2002)010068-05 高亮度发光二极管外量子效率的计算 邓云龙 ， 廖常俊 ， 刘颂豪 ， 范广涵 ， 文尚胜 。 (1华南师范大学量子电子学研究所， 广州 510631)： f2华南理工大学应用物理系． 广州 510641) 搞 蜜 本文对典型结构高亮度发光二极营 (RBLEDJ的注入电流扩展以及器件的光输出进行丁详细的理论分 析．结果表明具有较厚顶层的器件窖易实现注入电流的扩展．而具有较厚的底层即具有透明衬底的器件容易实现光 耦音输出，日此弓f人较厚顼层和底层是提高LED的外量子效率的有效手段．最后分别计算出不同顼层厚度下具有 吸收衬底和透明衬底的LED 的外量子救率．这两类 LED最大外量子效率分别为 l2．05％和2O12％ ． 关键词 HB—LED；内量子效率；外量子救率；电流密度分布 中国分类 号：TN9484：TN383+1 文献标 识码 A l 引 言 由于高亮度发光二极管具有体积小、功耗低、亮度高、寿命长等优点，在交通、通讯、照明等领域有着 广泛的应用前景．特别是蓝绿色高亮度发光二极管的研制成功并商品化后，使得户外全色显示有了可能…， 从而激起了人们对 HR，LED研制和应用的极大兴趣。 提高器件的外微分量子效率是提高器件性能的关键工作之一．多年来人们对 LED的研究较集中在材料 开发上，面对 LED器件的结构优化的研究，特别是结合 LED的电、光过程进行系统的分析并以此为依据进 行结构设计的研究工作相对较少 】，这对提高器件的性能很不利。随着人们对器件性能的要求越来越高， 有必要对此进行系统的研究。由于 LED的制备工艺中对电注入的过程不做任何限制以及其自发辐射复合发 出的光方向任意性，使得LED器件内部光路多，涉及的数学问题复杂，计算量大，分析起来比较困难。本文 首先建立易于分析的LED简化模型，然后系统地分析了器件的电注入及光输出过程。结果表明较厚的顶层 使得注入器件的电流容易扩展，且厚的顶层和较厚的下限制层即透明衬底一起使得器件的侧面发光效率大大 提高，两者结合将是提高器件的外量子效率的有效手段，本文的最后还分别计算了不同的顶层厚度下具有吸 收衬底和具有透明衬底 LED的外量子效率． 2 器件的电注入和光输出过程 2．1 电洼人过程 器件结构如图1所示，上表面边长 为 30 m 的正方形，顶层 GaP厚度为 ，电极直径为 以： ]O0~m．器件内部电流分布假设如图2所示，正对电极区域下方各点的电流密度 ^相等，电极以外的区域 的电流密度 随半径r变化而变化。总注入电流为^，正对这电极下方注入有源区的电流为 ，以外的总 电流为 ．厶、厶、 之间的关系是： 电流 一d 通过P—n结的r和 r+打 的电流变化量，可以表达为 基金项目 2OO0年崮家科技攻关项目，蝙号为 o0一c嘲i广州市科技重点攻关璜目，蝙号为 199~749350l 收谙日期t 2001-437-25；修改日期：2001—1022 维普资讯 量 子 电 子 学 报 19卷 + A--10olLT『l + 厂] 、 Fi