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高质量栅氧化层的制备及其辐照特性研究,氧化石墨烯的制备,氧化石墨烯制备,纳米二氧化钛的制备,纳米氧化锌的制备,甲苯氧化制备苯甲酸,氧化石墨烯的制备方法,过氧化氢制备,氧化镍纳米管阵列制备,实验室制备一氧化氮
第20卷第6期 半 导 体 学 报 . 20, . 6
V o l N o
1999年6月 , 1999
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June
高质量栅氧化层的制备
及其辐照特性研究
张 兴 王阳元
(北京大学微电子学研究所 北京 100871)
摘要 通过大量工艺实验开发了采用低温 合成氧化方法制备薄栅氧化层的工艺技术,
H 2 O 2
得到了性能优良的薄栅氧化层, 对于厚度为30 的栅氧化层, 其平均击穿电压为30 ,
nm V Si SiO 2
10 - 2
界面态密度小于35 ×10 . 该工艺现已成功地应用于薄膜全耗尽 工艺中. 同
cm CM O S SO I
时还开展了采用低温 薄栅氧化工艺制备的全耗尽 器件的抗总剂量辐照特
H 2 O 2 CM O S SO I
性研究, 采用低温 合成氧化方法制备的 器件的抗辐照特性明显优于采用常规干氧
H 2 O 2 SO I
氧化方法制备的器件, 低温氧化工艺是制备抗核加固 电路的优选栅氧化工
H 2 O 2 CM O S SO I
艺.
: 2560 , 2550, 2530
EEACC R
1 引言
随着器件特征尺寸的缩小及抗核加固技术的要求, 栅氧化层厚度越来越薄, 对栅氧化工
[ 1 ] 界面特性不仅强烈地影响器件性能的稳定, 而且
艺提出了越来越高的要求 . 由于 2
Si SiO
对阈值电压也有很大的影响. 薄栅氧化层必须具有界面态密度低、击穿电压高、电荷密度低、
针孔少、缺陷少、厚度均匀等特点, 研究高质量薄栅氧化层制备技术是开发薄膜短沟道
[ 2 ]
工艺最关键的工艺技术之一 .
CM O S SO I
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