《电力电子总结完美版》.doc

填空题 1、对SCR、TRIAC、GTO、GTR、Power MOSFET、这六种电力电子器件，其中要用交流电压相位控制的有SCR TRIAC 。可以用PWM控制的有GTO GTR Power MOSFET IGBT;要用电流驱动的有SCR TRIAC GTO GTR (准确地讲SCR、TRIAC为电流触发型器件)，要用电压驱动的有Power MOSFET IGBT；其中工作频率最高的一个是Power MOSFET，功率容量最大的两个器件是SCR GTR;属于单极性的是Power MOSFET;可能发生二次击穿的器件是GTR,可能会发生擎住效应的器件是IGBT；属于多元集成结构的是Power MOSFET IGBT GTO GTR 。 2、SCR导通原理可以用双晶体管模型来解释，其触发导通条件是阳极加正电压并且门极有触发电流，其关断条件是阳极电流小于维持电流。 3、GTO要用门极负脉冲电流关断，其关断增益定义为最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值的比即=，其值约为5左右,其关断时会出现特殊的拖尾 电流。 4、Power MOSFET通态电阻为正温度系数；其定义式为=≥0，比较特殊的是器件体内有寄生的反向二极管，此外，应防止其栅源极间发生擎住效应。 5、电力二极管额定电流是指最大工频正弦半波波形条件下测得值，对于应用于高频电力电子电路的电力二极管要用快恢复型二极管，但要求其反向恢复特性要软。 6、在电力电子电路中，半导体器件总是工作在开关状态，分析这类电路可以用理想开关等效电路；电力电子技术的基础是电力电子器件制造技术，追求的目标是高效地处理电力。 7、硬开关电路的电力电子器件在换流过程中会产生较大的开关损耗，主要原因是其电压波形与电流波形发生重叠，为了解决该缺陷，最好使电力电子器件工作在零电压开通，零电流关断状态；也可采用由无源元件构成的缓冲技术，但它们一般是有损耗 的。 8、电力电子电路对功率因数的定义与线性电路理论的定义在本质上的差别是有基波因数。 9、交流调压电路采用由两个SCR反并联接法组成交流开关作为控制，若交流电路的大感性负载阻抗角为80度，则SCR开通角的移相范围80度到180度。 10、SCR三相全控变流电路带直流电动机负载时，其处于整流状态时触发角应满足小于90度 条件；其处于有源逆变状态时触发角应满足大于90度 条件；SCR的换流方式都为电网换流。 11、有源逆变与无源逆变的差异是交流侧接在电网上还是接在负载上；加有续流二极管的任何整流电路都不能实现有源逆变的原因是负载被二极管短路不能产生负电压。逆变角的定义是90度时的控制角 12、电压源逆变器的输出电压是交流方 波；其逆变桥各臂都要反并联 二极管。 13、SPWM的全部中文意思是正弦脉冲宽度调制，这种技术可以控制输出交流的大小；产生SPWM波的模拟法用自然采样法。而计算机则采用规则采样法。 14、单端正激式DC/DC变换电路要求在变压器上附加一个复位 绕组，构成磁复位 电路；反激式DC/DC变换电路与Buck-Boost直流斩波器类似。 15、肖特基二极管具有工作频率高 ，耐压低 的应用特点。肖特基二极管具有反向恢复时间短，正向压降小，耐压低，效率高等特点。 16、GTR关断是工作点应在 截止 区，导通时工作点应在 饱和 区；它有可能因存在 二 次击穿而永久失效的缺陷。 17、快恢复二极管的开关时间是反向恢复时间，高频使用时还要求其反向恢复速度快、特性软 。 18、SCR三相半波可控整流电路的输出电压中所含交流分量的最低次谐波为 3 次，此电路中的SCR地自然换相点为=30度。 19、输入电压为100V，输出功率为1000W的推挽式逆变器，其开关器件用占空比为0.4的PWM波控制，在理想条件下加在器件上的最高电压达 200V ；对这种电路的基本要求是各个电路元件都要参数一致。 20、SCR三相桥式全控整流电路的输出电压所含交流分量的谐波为6K(K为正整数)次谐波，以线电压为纵坐标，则其第一相的自然换相点在横坐标电角度的位置为30度 。 21、达林顿管为 电流 控制型器件，IGBT为 电压 控制型器件。 23、GTR器件的最重要的开关参数是 开通时间和关断时间 ；快恢复二极管的最重要的开关参数是 反向恢复时间 。 24、单相桥式全控整流电路中的SCR最大移相范围，在大电感负载下，对有接续流二极管的为 π ，对不接续流二极管的为 π/2 。 25、单极型半导体器件的定义是 只有一种载流子参与导电的半导体器件 。 26、电力电子器件的功率损耗有 通态损耗、短态损耗和开关损耗 这几个部分。 28、IGBT的拖尾电流是指其在 关断 期间出现的 较大电流 现象。 29、在电力电子器件上附加的缓冲电路的主要目的是 防止过电压、过电