《电力电子总结完美版》.docVIP

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  • 2015-10-11 发布于河南
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《电力电子总结完美版》.doc

填空题 1、对SCR、TRIAC、GTO、GTR、Power MOSFET、这六种电力电子器件,其中要用交流电压相位控制的有SCR TRIAC 。可以用PWM控制的有GTO GTR Power MOSFET IGBT;要用电流驱动的有SCR TRIAC GTO GTR (准确地讲SCR、TRIAC为电流触发型器件),要用电压驱动的有Power MOSFET IGBT;其中工作频率最高的一个是Power MOSFET,功率容量最大的两个器件是SCR GTR;属于单极性的是Power MOSFET;可能发生二次击穿的器件是GTR,可能会发生擎住效应的器件是IGBT;属于多元集成结构的是Power MOSFET IGBT GTO GTR 。 2、SCR导通原理可以用双晶体管模型来解释,其触发导通条件是阳极加正电压并且门极有触发电流,其关断条件是阳极电流小于维持电流。 3、GTO要用门极负脉冲电流关断,其关断增益定义为最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值的比即=,其值约为5左右,其关断时会出现特殊的拖尾 电流。 4、Power MOSFET通态电阻为正温度系数;其定义式为=≥0,比较特殊的是器件体内有寄生的反向二极管,此外,应防止其栅源极间发生擎住效应。 5、电力二极管额定电流是指最大工频正弦半波波形条件下测得值,对于应用于高频电力电子电路的电力二极管要用快恢复

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