C在不同位置掺杂(n,n)型BN纳米管的密度泛函研究.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．4(2014) 046101 C在不同位置掺杂(n，n)型BN纳米管的 密度泛函研究术 王艳丽十 苏克和 颜红侠 王欣 (西~tl,lk大学理学院应用化学系，空间应用物理与化学教育部重点实验室，西安 710072) (2013年9月8日收到；2013年 11月1日收到修改稿) 用密度泛函B3LYP／3．21G(d)方法，并利用周期边界条件，研究了C原子在不同位置掺杂的(n，礼)型BN 纳米管的结构与性质．揭示了几何结构特征、能量、稳定性和能带结构的变化规律．研究了C原子在B位或N 位置分别掺杂的BN纳米管的模型 (掺杂浓度 =1／(4n)，n=3—9)，部分B位掺杂管发生了变形，而所有 N位掺杂管则几乎不变形，而且N位比B位的掺杂能更低 (管更稳定)，B位掺杂管IIii隙为1．054—2．411eV， N掺杂管的能隙为0．252—1．207eV，所有掺杂管都是半导体，所有掺杂管都具有直接带隙． 关键词：掺杂，碳纳米管，周期边界条件，能带结构 PACS：61．46．Np，81．07．De DOI：10．7498／aps．63．046101 米管上，H更 易吸附在B 原子上 [1o]．Mirzaei[] 1 引 言 计算所得的C在不同位置掺杂所得 (4，4)BN纳 米管的N位掺杂的核磁共振 fNMR)特征变化较 硼碳氮fB—C—N)t】层状材料可认为是石墨 大，而B位掺杂几乎没什么变化．文献 1【2】利 和BN的混杂物．与石墨相仿，B—C—N层状材料 用C原子簇模型研究了C分别在B位和N位掺 也可生成纳米管，这类纳米管也可认为是碳纳 杂的BN纳米管，得出C在B位掺杂的模型为宽 米管 (CNT)与BN纳米管 (BN-NT)的混杂物．事 带 隙半导体，而在N位掺杂的模型为窄带隙半 实上，实验 已经证实 了B—C—N纳米管的存在 2【]． 导体． 理论和实验 已证实BC2N纳米管具有半导体性 本小组研究的(n，n)型CNT，BN—NT以及一 质[3】j能隙为2eV，BC2N纳米管还可成为有效的 些B—C—N纳米管表 明[3--15]，纳米管的导 电性随 蓝光和紫外光发射器 【，引．文献 6『，7]研究了BC2N 着n呈现出一定规律，并发现在B—C—N纳米管最 体 系倾 向于分裂为纯 的C和BN区域 的B—C—N 体系． 稳定结构的特征是碳纳米管中掺杂了平行于管 Azevedo8【】研究了C在不同的位置掺杂的BN— 轴的一B—N—B—N一直链，这种管具有典型的半导体特 NT，表明掺杂管的电子结构与形变结构无关，而 征 [151．而在BN纳米管中，C原子于一B—N—B—N一直 与C原子的掺杂方式有关．文献 9『】研究C原子 链上分别在B位或N位上取代的模型，其结构和性 掺杂的(10，0)型BN纳米管得出，体系中若没有 能还是未知的，尤其是随管径的变化