GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究吕玲.pdfVIP

空 间 电子技 术 2 0 1 3 年第 3 期 S P A C E E L E C T R O N I C T E C H N O L O G Y 3 3 ① G a N 高 电子 迁 移 率 晶体管 的质 子辐 照 效应 研 究 吕 玲, 林志宇 , 张进成, 马 晓华, 郝 跃 ( 宽带 隙半导体技术 国家重点学科实验室 , 西安 电子科技大学微 电子学 院 7 1 0 0 7 1 ) 摘 要 : 文 章研 究 了 A I G a N / G a N 高 电子迁 移 率 晶 体管 ( H E M T ) 的质子辐 照效应。 在 3 M e V 质子辐 照 下 , 采 用 三 种 不 同 辐 照 剂 量 6 x 1 0 1 4 , 4 x 1 0 14 和 1 x 1 0 1 5 p ro t o n s / c m 2 。 在最 高辐 照 剂 量 下 , 漏 极饱和 电 流 下 降 了 2 0 % , 最大 跨 导 降低 了 5 % 。 随着 剂 量 增加 , 阈 值 电压 向 正 向 漂移 , 栅 泄露 电流 增加 。 A I G a N / G a N H E M T 电 学 特性 的 退化 主要是 由 辐 照 引 入 的位移损伤 引 起 的。 从 S R I M 软件计 算 出 空位 密 度 , 将 G a 空 位对应 的 能级 引 入 S i l v a c o 器件仿 真软件 中 , 仿 真结果与 实 验结 果相 匹 配。 H a l l 测 试结 果显示 二维 电 子 气 ( 2 D E G ) 浓度和 迁移 率 在辐 照后 有所 降低。 关 词 质 辐 照 氮 化镓 高 电 迁 移 晶体 G a 空位 二维 电子 气 键 : 子 ; 子 率 管 ; ; - D O 1 : 1 0 . 3 9 6 9 / . i s s n . 1 6 7 4 7 1 3 5 . 2 0 1 3 . 0 3 . 0 0 8 j 0 引 言 1 器件 制造与 实 验 皿 族氮化物半导体材料 以其优异 的物 理性质 和 文章 中使用 的器件样 品是 由 西安 电子科技大 学 化学性质倍受关注 , 如宽 的带