高纯电子铝箔立方织构形成的微观过程.pdfVIP

25 2 Vol.25 No.2 卷 第 期 北 京 2003 4 Journal of University of Science and Technology Beijing Apr. 2003 高纯电子铝箔立方织构形成的微观过程 马英晓 杨 平 余永宁 毛卫民 , 100083 北京科技大学材料科学与工程学院 北京 摘 要 采用EBSD 微取向分析方法 通过分析高纯铝箔冷轧后退火的再结晶初期立方取向 晶核的形成过程及立方取向晶粒的长大行为 探讨了高纯铝箔中立方织构形成的微观过程 结果表明 在高纯铝箔轧制基体上没有发现立方取向{001} 100 的晶核优先形成 但是再结 晶完成以后却会出现较强的立方织构 因此高纯铝箔立方织构的形成主要是借助于立方取 S {123}634 向晶粒的取向生长机制实现的 立方取向晶核容易在 取向 的形变晶粒之间产生 关键词 高纯铝箔 立方织构 背散射电子衍射 再结晶 + 分类号 TG 146.2 1 电容器是一种贮存电荷的元器件 其主要电 成机制进行了探讨 极都是由铝箔制造的 高压阳极箔是由99.98% 以 研究表明 铝箔侵蚀效果的好坏直接受铝箔 上的高纯铝制造的 高压阳极箔的表面上腐蚀成 内织构的影响[7 8] 在电容器铝箔内 最好的腐蚀 许多柱孔 在柱孔的内壁等表面部位经阳极氧化 通道是{100}001. 也就是说 工业生产电容器 , 生成一层氧化膜 这层氧化膜要薄且致密 是一 铝箔时 要求发达的立方织构存在 因此 研究和 层绝缘的电解质并且承担着耐电压的作用 一般 分析高纯铝立方织构形成的微观过程及成分的 说来 电极的静电容量和电极的表面积成正比 影响 利用先进手段和现代理论研究电子铝箔织 , 通过侵蚀技术来增加铝箔表面的起伏 从而增加 构的控制技术 以及织构与电解电容器比电容的 电极的表面积[1] 这样在铝箔面积不变的情况下 关系 结合国内企业条件 开发高技术高压和低 可以明显地提高其电容量 压铝箔的生产技术 可以使我国产品达到更高的 20 30 世纪 年代以来 对于再结晶织构的形 水平 同时 通过研究可以进一步丰富再结晶和 成机制存在以下两种理论的争论[2] 1 取向形核 再结晶织构的理论 理论 Oriented Nucleation Theory . 取向形核理论 假定在原有形变织构的基体上形成特定取向的 1 实验方法 核心 这些核心长大后 必然会具有择尤取向